是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, DIP28,.3 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.63 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 100 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDIP-T28 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 34.9 mm |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 32KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP28,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 240 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 4.45 mm |
最大待机电流: | 0.00005 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.07 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 7.62 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TC55257CSPL-10L | TOSHIBA |
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IC 32K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28, Static RAM | |
TC55257CSPL-70 | TOSHIBA |
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SILICON GATE CMOS 32,768 WORD x 8 BIT STATIC RAM | |
TC55257CSPL-70L | TOSHIBA |
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IC 32K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28, Static RAM | |
TC55257CSPL-85 | TOSHIBA |
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SILICON GATE CMOS 32,768 WORD x 8 BIT STATIC RAM | |
TC55257CSPL-85L | TOSHIBA |
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IC 32K X 8 STANDARD SRAM, 85 ns, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28, Static RAM | |
TC55257CTRI | TOSHIBA |
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SILICON GATE CMOS 32,768 WORD x 8 BIT STATIC RAM | |
TC55257CTRI-10L | TOSHIBA |
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SILICON GATE CMOS 32,768 WORD x 8 BIT STATIC RAM | |
TC55257CTRI-85L | TOSHIBA |
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SILICON GATE CMOS 32,768 WORD x 8 BIT STATIC RAM | |
TC55257CTRL | TOSHIBA |
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SILICON GATE CMOS 32,768 WORD x 8 BIT STATIC RAM | |
TC55257CTRL-10 | TOSHIBA |
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SILICON GATE CMOS 32,768 WORD x 8 BIT STATIC RAM |