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TC55257CSPL-10

更新时间: 2024-11-08 22:40:19
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 389K
描述
SILICON GATE CMOS 32,768 WORD x 8 BIT STATIC RAM

TC55257CSPL-10 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:DIP
包装说明:DIP, DIP28,.3针数:28
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.63
Is Samacsys:N最长访问时间:100 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDIP-T28
JESD-609代码:e0长度:34.9 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP28,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):240电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:4.45 mm
最大待机电流:0.00005 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.07 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1

TC55257CSPL-10 数据手册

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