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TC1N979B.TB

更新时间: 2024-10-29 10:01:27
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TAK_CHEONG 测试二极管
页数 文件大小 规格书
4页 564K
描述
Zener Diode, 56V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

TC1N979B.TB 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-35
包装说明:O-LALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.17
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:150 ΩJEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.5 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:56 V子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:Tin (Sn)端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:5%工作测试电流:2.2 mA
Base Number Matches:1

TC1N979B.TB 数据手册

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