是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DO-35 |
包装说明: | O-LALF-W2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.70 | 风险等级: | 5.16 |
Is Samacsys: | N | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 0.72 V |
JEDEC-95代码: | DO-35 | JESD-30 代码: | O-LALF-W2 |
JESD-609代码: | e3 | 最大非重复峰值正向电流: | 2 A |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 150 °C | 最大输出电流: | 0.15 A |
封装主体材料: | GLASS | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
最大功率耗散: | 0.5 W | 认证状态: | Not Qualified |
最大反向恢复时间: | 0.04 µs | 子类别: | Rectifier Diodes |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TC1N914B.TB | TAK_CHEONG |
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暂无描述 | |
TC1N914B.TR | TAK_CHEONG |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 | |
TC1N914BM | TAK_CHEONG |
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300 mW DO-34 Hermetically Sealed Glass Fast Switching Diodes | |
TC1N914BM | TC |
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DO-34 | |
TC1N914BM.TB | TAK_CHEONG |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, DO-34, HERMETIC SEALED, GLASS, DO-204, 2 PIN | |
TC1N914BMT26B | TAK_CHEONG |
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Rectifier Diode, | |
TC1N914BMTB | TAK_CHEONG |
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暂无描述 | |
TC1N914BRL | TAK_CHEONG |
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暂无描述 | |
TC1N914BTA | TAK_CHEONG |
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暂无描述 | |
TC1N914BTR | TAK_CHEONG |
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Rectifier Diode, |