TC1N4148

更新时间： 2024-02-18 10:51:41

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TAK_CHEONG		二极管开关
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4页	125K
描述
500 mW DO-35 Hermetically Sealed Glass Fast Switching Diodes

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TC1N4148 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.68	Is Samacsys：	N
其他特性：	FAST SWITCHES	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	0.15 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	75 V
最大反向恢复时间：	0.004 µs	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

TC1N4148 数据手册

TAK CHEONG ^®

SEMICONDUCTOR

500 mW DO-35 Hermetically

Sealed Glass Fast Switching

Diodes

AXIAL LEAD

DO35

Absolute Maximum Ratings T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

Units

P_D

T_STG

T_J

Power Dissipation

500

-65 to +150

+175

°C

DEVICE MARKING DIAGRAM

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

Working Inverse Voltage

°C

W_IV

I_O

Average Rectified Current

150

: Logo

TC1Nxxxx : Device Code

I_FM

Non-repetitive Peak Forward Current

450

Peak Forward Surge Current

(Pulse Width = 1.0 µsecond)

I_FSURGE

These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.

Specification Features:

Fast Switching Device (T_RR<4.0 nS)

DO-35 Package (JEDEC)

Through-Hole Device Type Mounting

Hermetically Sealed Glass

Anode

Cathode

Compression Bonded Construction

All External Surfaces Are Corrosion Resistant And Leads Are Readily Solderable

RoHS Compliant

ELECTRICAL SYMBOL

Solder Hot Dip Tin (Sn) Terminal Finish

Cathode Indicated By Polarity Band

Electrical Characteristics

T_A= 25°C unless otherwise noted

Limits

Symbol

Parameter

Test Condition

I_R=100µA

Unit

Min

100

Max

B_V

Breakdown Voltage

Reverse Leakage Current

Forward Voltage

Volts

I_R=5µA

I_R

V_R=20V

V_R=75V

I_F=5mA

I_F=10mA

I_F=100mA

µA

V_F

TC1N4448, TC1N914B

TC1N4148

0.62

0.72

1.0

Volts

TC1N4448, TC1N914B

T_RR

Reverse Recovery Time

Capacitance

I_F=10mA, V_R=6V

R_L=100Ω

I_RR=1mA

V_R=0V, f=1M_HZ

Number: DB-036

October 2008 / F

Page 1

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