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TAN75A

更新时间： 2024-09-24 08:29:11
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美高森美 - MICROSEMI 脉冲
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4页 525K
描述
75 Watts, 50 Volts, Pulsed Avionics 960 - 1215 MHz

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TAN75A 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：55AZ, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.63
最大集电极电流 (IC)：9 A配置：SINGLE
最高频带：L BANDJESD-30 代码：R-CDFM-F2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：200 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TAN75A 数据手册

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TAN75A  
75 Watts, 50 Volts, Pulsed  
Avionics 960 - 1215 MHz  
GENERAL DESCRIPTION  
CASE OUTLINE  
55AZ, Style 1  
The TAN75A is a high powered COMMON BASE bipolar transistor. It is  
designed for pulsed systems in the frequency band 960-1215 MHz. The device  
has gold thin-film metallization and diffused ballasting for proven highest  
MTTF. The transistor includes input and output prematch for broadband  
capability. Low thermal resistance package reduces junction temperature,  
extends life.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Maximum Power Dissipation  
Device Dissipation @25°C  
290 W  
Maximum Voltage and Current  
Collector to Base Voltage (BVces)  
55 V  
4.0 V  
9.0 A  
Emitter to Base Voltage (BVebo  
Collector Current (Ic)  
)
Maximum Temperatures  
Storage Temperature  
Operating Junction Temperature  
-65 to +200 °C  
+200 °C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C  
SYMBOL CHARACTERISTICS  
TEST CONDITIONS  
MIN TYP MAX UNITS  
Pout  
Pin  
Power Out  
F
= 960-1215 MHz  
75  
80  
W
W
dB  
%
Power Input  
Vcc = 50 Volts  
PW = 20 μsec  
DF = 5%  
12  
Pg  
Power Gain  
8.0  
8.5  
40  
Collector Efficiency  
Load Mismatch Tolerance  
ηc  
VSWR  
F = 1090 MHz  
20:1  
FUNCTIONAL CHARACTERISTICS @ 25°C  
BVebo  
BVces  
hFE  
θjc2  
Emitter to Base Breakdown  
Ie = 10 mA  
4
V
V
Collector to Emitter Breakdown Ic = 15 mA  
50  
10  
DC – Current Gain  
Thermal Resistance  
Vce = 5V, Ic = 15 mA  
100  
0.6  
°C/W  
NOTE 1: At rated output power and pulse conditions  
2. At rated pulse conditions  
.
Revision A, August 2010  
Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein.  
Visit our website at www.microsemi.com or contact our factory direct  
Microsemi Corporation 3000 Oakmead Village Drive, Santa Clara, California 95051 408-986-8031  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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