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TAN300

更新时间： 2024-01-02 11:22:46

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描述
300 Watts, 50 Volts, Pulsed Avionics 960 - 1215 MHz

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TAN300 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.64
最大集电极电流 (IC)：	20 A	配置：	SINGLE
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

TAN300 数据手册

TAN 300

300 Watts, 50 Volts, Pulsed

Avionics 960 - 1215 MHz

GENERAL DESCRIPTION

CASE OUTLINE

55KT Style 1

The TAN 300 is a high power COMMON BASE bipolar transistor. It is

designed for pulsed systems in the frequency band 960-1215 MHz. The

device has gold thin-film metallization and diffused ballasting for proven

highest MTTF. The transistor includes input and output prematch for

broadband capability. Low thermal resistance package reduces junction

temperature, extends life.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Maximum Power Dissipation @ 25^oC²

1166 Watts

Maximum Voltage and Current

BVces

BVebo Emitter to Base Voltage

Ic Collector Current

Collector to Base Voltage

65 Volts

2.0 Volts

20 Amps

Maximum Temperatures

Storage Temperature

Operating Junction Temperature

- 65 to + 200^oC

+ 200^oC

ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25 ^OC

SYMBOL

CHARACTERISTICS

TEST CONDITIONS

MIN

TYP

MAX UNITS

Pout

Power Out

Power Input

Power Gain

Collector Efficiency

Load Mismatch Tolerance

F = 960-1215 MHz

Vcc = 50 Volts

PW = 10 µsec

DF = 10%

300

6.6

Watts

10:1

VSWR

F = 1090 MHz

BVebo

BVces

h_FE

Emitter to Base Breakdown

Collector to Emitter Breakdown

DC - Current Gain

Ie = 25 mA

Ic = 50 mA

Ic = 1A, Vce = 5 V

2.0

Volts

^oC/W

jc²

Thermal Resistance

.15

Note 1: At rated output power and pulse conditions

2: At rated pulse conditions

Initial Issue June, 1994

GHz TECHNOLOGY INC. RESERVES THE RIGHT TO MAKE CHANGES WITHOUT FURTHER NOTICE. GHz RECOMMENDS THAT

BEFORE THE PRODUCT(S) DESCRIBED HEREIN ARE WRITTEN INTO SPECIFICATIONS, OR USED IN CRITICAL APPLICATIONS,

THAT THE PERFORMANCE CHARACTERISTICS BE VERIFIED BY CONTACTING THE FACTORY.

GHz Technology Inc. 3000 Oakmead Village Drive, Santa Clara, CA 95051-0808 Tel. 408 / 986-8031 Fax 408 / 986-8120

12 3

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与TAN300相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TAN-321	TOSHIBA	获取价格	TAN-321
TAN350	ADPOW	获取价格	high power COMMON BASE bipolar transistor.
TAN500	MICROSEMI	获取价格	500 Watts, 50 Volts Pulsed Avionics 960 to 1215 MHz
TAN-5550	SONY	获取价格	V-FET REPLACEMENT
TAN6007	SPECTRUM	获取价格	4 Bit Digital Attenuator
TAN6008	SPECTRUM	获取价格	4 Bit Digital Attenuator
TAN75A	GHZTECH	获取价格	75 Watts, 50 Volts, Pulsed Avionics 960 - 1215 MHz
TAN75A	MICROSEMI	获取价格	75 Watts, 50 Volts, Pulsed Avionics 960 - 1215 MHz
TAN-8550	SONY	获取价格	V-FET REPLACEMENT
TANGO1/1M/FMEF/S/S/4	ETC	获取价格	ANT MODULE FME FEMALE PANEL MNT

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