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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.76 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | UL RECOGNIZED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 换向电压的临界上升率-最小值： | 20 V/us |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 300 V/us | 最大直流栅极触发电流： | 30 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 1.5 V | 最大维持电流： | 50 mA |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 最大漏电流： | 0.01 mA |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 8 A |
| 断态重复峰值电压： | 700 V | 子类别： | TRIACs |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 触发设备类型： | SNUBBERLESS TRIAC |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| T8307A | MOLEX |
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Terminator Die |
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| T830-800W | STMICROELECTRONICS |
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SNUBBERLESS TRIAC |
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| T830-8FP | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
8 A Snubberless Triac |
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| T830N | INFINEON |
获取价格 |
Netz-Thyristor Phase Control Thyristor |
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| T830N12TOF | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1880A I(T)RMS, 826000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 |
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| T830N14TOF | INFINEON |
获取价格 |
T830N 相位控制晶闸管盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳，外壳直径 58mm，高度 |
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| T830N14TOFHOSA1 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 1880A I(T)RMS, 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element |
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| T830N14TOFXPSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1880A I(T)RMS, 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element, |
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| T830N16TOF | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1880A I(T)RMS, 826000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 |
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| T830N18TOF | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1880A I(T)RMS, 826000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 |
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