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T829N20

更新时间： 2024-10-03 09:51:03

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Silicon Controlled Rectifier,

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T829N20 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.83
Base Number Matches：	1

T829N20 数据手册

Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T 829 N 20 ...26

Elektrische Eigenschften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

T_vj= - 40°C...T_{vj max}

T_vj= + 25°C...T_{vj max}

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

V_DRM, V_RRM

2000

2400

2200

2600

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

V_DSM

2000

2400

2200

2600

non-repetitive peak foward off-state voltage

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

V_RSM

2100

2500

2300

2700

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

RMSM on-state current

I_TRSMSM

1800

T_C= 85 °C

T_C= 60 °C

Dauergrenzstrom

I_TAVM

829

average on-state current

1145

T_vj= 25°C, t_p= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_p= 10 ms

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

I_TSM

17500

15500

*10³

T_vj= 25°C, t_p= 10ms

T_vj= T_{vj max}, t_p= 10ms

Grenzlastintegral

I²t-value

I²t

1531

1201

A²s

Kritische Stromsteilheit

DIN IEC 747-6

(di_T/dt)_cr

A/µs

f=50 Hz, v_L= 10V, i_GM= 1 A

di_G/dt = 1 A/µs

critical rate of rise of on-state current

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

Kritische Spannungssteilheit

(dv_D/dt)_cr

1000

V/µs

critical rate of rise of off-state voltage

5.Kennbuchstabe / 5th letter F

Charakteristische Werte / Characteristic values

T_vj= T_{vj max}, i_T= 1800 A

Durchlaßspannung

on-state voltage

v_T

max.

1,78

0,95

T_vj= T_{vj max}

Schleusenspannung

threshold voltage

V_T(TO)

T_vj= T_{vj max}

Ersatzwiderstand

slope resistance

r_T

0,425

T_vj= T_{vj max}

Durchlaßkennlinie

A= 1,0069

on-state voltage

v_T= A + B x i_T+ C x ln (i_T+ 1) + D x Ö i_T

B= 3,381E-04

C=-0,02723

D= 8,5423E-03

T_vj= 25°C, v_D= 6 V

T_vj= 25°C, v_D= 6V

Zündstrom

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

max.

250

1,5

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 6 V

Nicht zündener Steuerstrom

gate non-trigger current

max.

T_vj= T_{vj max},v_D= 0,5 V_DRM

Nicht zündene Steuerspannung

gate non-trigger voltage

max.

0,2

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_A= 5 W

Haltestrom

600

holding current

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_GK>= 10 W

i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

t_g= 20 µs

Einraststrom

I_L

2000

latching current

T_vj= T_{vj max}

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse currents

i_D, i_R

max.

100

µs

v_D= V_DRM, vR = V_RRM

Zündverzug

DIN IEC 747-6

t_gd

T_vj= 25°C

gate controlled delay time

i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

SZ-AM / 99-09-10, K.-A.Rüther

A 122/99

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