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T730N42TOF VT

更新时间： 2024-11-07 14:56:11

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英飞凌 - INFINEON		/
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描述
T730N 相位控制晶闸管盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳，外壳直径 75mm，高度 26mm。

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T730N42TOF VT 数据手册

Technische Information /

technical information

Netz-Thyristor

T730N

Phase Control Thyristor

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

3600

3800

4000 V

4200 V

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T_vj= -40 °C... T_{vj max}

enndaten

V_DRM,V_RRM

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

Elektrische Eigenschaften

3600

3800

4000 V

4200 V

Vorwärts-Stossspitzensperrspannung

non-repetitive peak forward off-state voltage

T_vj= -40 °C... T_{vj max}

V_DSM

3700

3900

4100 V

4300 V

Rückwärts-Stossspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

T_vj= +25 °C... T_{vj max}

V_RSM

1150

Durchlassstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

T_C= 85 °C

I_TRMSM

I_TAVM

730 A

1100 A

1730 A

Dauergrenzstrom

average on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

T_C= 55 °C, θ = 180°sin, t_P= 10 ms I_TAVM

Durchlaßstrom-Effektivwert

RMS on-state current

I_TRMS

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

17600 A

15800 A

Stossstrom-Grenzwert

surge current

I_TSM

1550 10³ A²s

1250 10³ A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

80 A/µs

Kritische Stromsteilheit

critical rate of rise of on-state current

DIN IEC 60747-6

f = 50 Hz, i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

1000 V/µs

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

5.Kennbuchstabe / 5^thletter F

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlassspannung

on-state voltage

max.

3,4 V

1,73 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 3,5 kA

T_vj= T_{vj max}, i_T= 750 A

v_T

max

1,20 V

Schleusenspannung

threshold voltage

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

r_T

max

0,57 mΩ

Ersatzwiderstand

slope resistance

Durchlasskennlinie

100 A ≤ i_T≤ 1500 A

1,237E-01

on-state characteristic

8,521E-04

2,933E-01

-3,533E-02

v_T A  B  i_T C  ln(i_T 1)  D  i_T

Zündstrom

gate trigger current

T_vj= 25 °C, v_D= 12V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

max.

300 mA

Zündspannung

gate trigger voltage

max.

2,5 V

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

T_vj= T_{vj max}, v_D= 12V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

20 mA

10 mA

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

T_vj= 25 °C, v_D= 12V

max.

0,3 V

Haltestrom

max.

300 mA

holding current

Einraststrom

T_vj= 25 °C, v_D= 12V, R_GK≥ 10 Ω

I_L

max. 2500 mA

latching current

i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs, t_g= 20 µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

T_vj= T_{vj max}

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

i_D, i_R

t_gd

max.

200 mA

3,5 µs

Zündverzug

DIN IEC 60747-6

gate controlled delay time

T_vj= 25 °C, i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

date of publication: 2013-05-21

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3.1

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Date of publication: 2013-05-21

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
T730N42TOFVT	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1730A I(T)RMS, 4200V V(DRM), 4200V V(RRM), 1 Element,
T730N42TOFVTHOSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier
T730N42TOFVTXPSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1730A I(T)RMS, 4200V V(DRM), 4200V V(RRM), 1 Element,
T7314	ETC	获取价格	TRIANGULAR TYPE
T731N	EUPEC	获取价格	Phase Control Thyristor
T731N38TOH	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2010A I(T)RMS, 925000mA I(T), 3800V V(DRM), 3800V V(RRM), 1
T731N39TOH	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1280000mA I(T), 3900V V(DRM)
T731N40TOH	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2010A I(T)RMS, 925000mA I(T), 4000V V(DRM), 4000V V(RRM), 1
T731N42TOH	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2010A I(T)RMS, 925000mA I(T), 4200V V(DRM), 4200V V(RRM), 1
T731N43TOH	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1280000mA I(T), 4300V V(DRM)

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