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T7031-PEPW PDF预览

T7031-PEPW

更新时间： 2024-09-21 19:55:51
品牌 Logo 应用领域
爱特美尔 - ATMEL 电信电信集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 564K
描述
Support Circuit, 4 X 4 MM, MO-220, QFN-16

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T7031-PEPW 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：QFN
包装说明：4 X 4 MM, MO-220, QFN-16针数：16
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.79JESD-30 代码：S-XQCC-N16
JESD-609代码：e3长度：4 mm
湿度敏感等级：2功能数量：1
端子数量：16最高工作温度：80 °C
最低工作温度：-30 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：HVQCCN封装形状：SQUARE
封装形式：CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1 mm
标称供电电压：3.3 V表面贴装：YES
电信集成电路类型：SUPPORT CIRCUIT温度等级：COMMERCIAL EXTENDED
端子面层：MATTE TIN端子形式：NO LEAD
端子节距：0.65 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：40宽度：4 mm
Base Number Matches：1

T7031-PEPW 数据手册

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Features  
• Frequency Range 2.4 GHz to 2.5 GHz  
• Supply Voltage 2.7 V to 3.6 V  
• 21 dBm Linear Output Power for IEEE 802.11b Mode  
• 3.5% EVM at 15.5 dBm Output Power for IEEE 802.11g Mode  
• On-chip Power Detector with 20 dB Dynamic Range  
• Power-down Mode and Biasing Control  
• No External Components for Input Matching  
• Low Profile Plastic Package QFN16 (4 × 4 × 0.9 mm)  
2.4-GHz SiGe  
Power Amplifier  
for 802.11b/g  
Benefits  
• IEEE 802.11b WLAN  
• IEEE 802.11g OFDM WLAN  
• PC Cards, PCMCIA  
• 2.4 GHz ISM Band Application  
WLAN Systems  
Electrostatic sensitive device.  
Observe precautions for handling.  
T7031  
Description  
Circuitry  
The PA’s is designed for low current-consumption 802.11b and 802.11g multi-mode  
applications such as Mini-PCI and PCMCIA for portable devices. The low profile  
plastic package with internal input matching to 50 Ω minimizes the PCB board-space  
and allows simplified integration with very few passive components. The on-chip  
power-detector provides a voltage linear to the output power while the standby/bias  
control logic provides power saving and shutdown as well as a linear adjustment of  
output power. The PA is realized as a two stage PA with internal interstage-matching  
and an open-collector output structure.  
Preliminary  
Process  
The power amplifier is designed in Atmel's Silicon-Germanium (SiGe) process and  
provides excellent linearity and noise performance, high gain as well as good power-  
added efficiency.  
Rev. 4564F–WLAN–07/04  
1234567...16

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		Support Circuit
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