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T700N22TOF

更新时间： 2024-09-14 14:56:11

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英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
10页	242K
描述
T700N 相位控制晶闸管盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳，外壳直径 58mm，高度 26mm。

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T700N22TOF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	DISK BUTTON, O-XXDB-X3
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.17	标称电路换相断开时间：	300 µs
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	250 mA
最大直流栅极触发电压：	2.2 V	最大维持电流：	300 mA
JESD-30 代码：	O-XXDB-X3	最大漏电流：	100 mA
湿度敏感等级：	1	通态非重复峰值电流：	13500 A
元件数量：	1	端子数量：	3
最大通态电流：	700000 A	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	1630 A	断态重复峰值电压：	2200 V
重复峰值反向电压：	2200 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	YES	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UNSPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

T700N22TOF 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T700N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

1800 V

2000 V

2200 V

1800 V

2000 V

2200 V

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DRM,V_RRM

^Pere^ion^din^scd^ha^et^Ve^on^{rwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung}

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

Elektrische Eigenschaften

Vorwärts-Stossspitzensperrspannung

non-repetitive peak forward off-state voltage

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DSM

1900 V

2100 V

2300 V

Rückwärts-Stossspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

1500 A

Durchlassstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

700 A

T_C= 85 °C

1040 A

1630 A

Dauergrenzstrom

T_C= 55 °C, θ = 180°sin, t_P= 10 ms I_TAVM

average on-state current

Durchlaßstrom-Effektivwert

RMS on-state current

I_TRMS

13500 A

12200 A

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

Stossstrom-Grenzwert

surge current

I_TSM

911 10³ A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

Kritische Stromsteilheit

critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

744 10³ A²s

200 A/µs

DIN IEC 60747-6

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

f = 50 Hz, i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

1000 V/µs

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

5.Kennbuchstabe / 5^thletter F

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlassspannung

on-state voltage

max.

2,32 V

1,25 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 2850 A

T_vj= T_{vj max}, i_T= 650 A

v_T

0,95 V

Schleusenspannung

threshold voltage

Ersatzwiderstand

slope resistance

Durchlasskennlinie

on-state characteristic

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

r_T

0,45 mΩ

200 A ≤ i_T≤ 3500 A

9,247E-01

4,032E-04

-1,670E-02

7,035E-03

v_T= A + B i_T+ C ln(i_T+ 1) + D

i_T

Zündstrom

T_vj= 25 °C, v_D= 12V

I_GT

max.

250 mA

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

V_GT

I_GD

max.

2,2 V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 12V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

10 mA

5 mA

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

V_GD

I_H

max.

0,25 V

Haltestrom

holding current

T_vj= 25°C, v_D= 12V

max.

300 mA

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 12V, R_GK≥ 10 Ω

I_L

max. 1500 mA

i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs,

t_g= 20 µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

Zündverzug

gate controlled delay time

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

t_gd

max.

100 mA

4 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

DIN IEC 60747-6

T_vj= 25 °C, i_GM= 1 A,

di_G/dt = 1 A/µs

H.Sandmann

date of publication: 2010-11-11

prepared by:

revision:

3.1

approved by: M.Leifeld

IFBIP D AEC / 2010-11-11, H.Sandmann

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与T700N22TOF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
T700N22TOFHOSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1630A I(T)RMS, 2200V V(DRM), 2200V V(RRM), 1 Element
T700N2400TOC	VISHAY	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 700000mA I(T), 2400V V(DRM),
T700N2400TOF	VISHAY	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 700000mA I(T), 2400V V(DRM),
T700N2600TOC	VISHAY	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 700000mA I(T), 2600V V(DRM),
T700N2600TOF	VISHAY	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 700000mA I(T), 2600V V(DRM),
T-7010-0.02MHZ	CTS	获取价格	CMOS/LSTTL Output Clock Oscillator, 0.02MHz Nom, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, CERAMIC,
T-7010-0.02MHZ-TL	CTS	获取价格	CMOS/LSTTL Output Clock Oscillator, 0.02MHz Nom, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, CERAMIC,
T7010-0.02M-TL	CTS	获取价格	Oscillator,
T7010-75M	CTS	获取价格	HCMOS Output Clock Oscillator, 75MHz Nom, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD, 4 PIN
T-7011-0.02MHZ	CTS	获取价格	CMOS/LSTTL Output Clock Oscillator, 0.02MHz Nom, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, CERAMIC,

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