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T580N06TOFHOSA1

更新时间： 2024-01-04 03:13:51

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英飞凌 - INFINEON		栅栅极
页数	文件大小	规格书
10页	243K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1220A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element

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T580N06TOFHOSA1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	DISK BUTTON, O-XXDB-X3
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.75	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	150 mA	JESD-30 代码：	O-XXDB-X3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	1220 A
断态重复峰值电压：	600 V	重复峰值反向电压：	600 V
表面贴装：	YES	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UNSPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

T580N06TOFHOSA1 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T580N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

200 V

400 V

600 V

200 V

400 V

600 V

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DRM,V_RRM

^Pere^ion^din^scd^ha^et^Ve^on^{rwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung}

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

Elektrische Eigenschaften

Vorwärts-Stossspitzensperrspannung

non-repetitive peak forward off-state voltage

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DSM

250 V

450 V

650 V

Rückwärts-Stossspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

800 A

568 A

780 A

1220 A

Durchlassstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

Durchlaßstrom-Effektivwert

RMS on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

T_C= 85 °C

T_C= 55 °C, θ = 180°sin, t_P= 10 ms I_TAVM

I_TRMS

6300 A

5500 A

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

Stossstrom-Grenzwert

surge current

I_TSM

198 10³ A²s

151 10³ A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 60747-6

f = 50 Hz, i_GM= 0,6 A,

di_G/dt = 0,6 A/µs

200 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

critical rate of rise of on-state current

1000 V/µs

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

(dv_D/dt)_cr

5.Kennbuchstabe / 5^thletter F

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlassspannung

on-state voltage

max.

1,63 V

1,12 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 1500 A

T_vj= T_{vj max}, i_T= 500A

v_T

1,0 V

Schleusenspannung

threshold voltage

Ersatzwiderstand

slope resistance

Durchlasskennlinie

on-state characteristic

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

r_T

0,4 mΩ

100 A ≤ i_T≤ 2800 A

8,819E-01

6,172E-05

-8,686E-02

3,321E-02

v_T= A + B i_T+ C ln(i_T+ 1) + D

i_T

Zündstrom

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

T_vj= 25 °C, v_D= 12V

I_GT

max.

150 mA

V_GT

I_GD

max.

1,4 V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 12V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

5 mA

2,5 mA

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

Haltestrom

holding current

Einraststrom

latching current

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

V_GD

I_H

max.

0,2 V

T_vj= 25°C, v_D= 12V

200 mA

620 mA

T_vj= 25°C, v_D= 12V, R_GK≥ 10 Ω

I_L

i_GM= 0,6 A, di_G/dt = 0,6 A/µs,

t_g= 20 µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

Zündverzug

gate controlled delay time

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

t_gd

max.

30 mA

3 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

DIN IEC 60747-6

T_vj= 25 °C, i_GM= 0,6 A,

di_G/dt = 0,6 A/µs

H.Sandmann

date of publication: 2009-11-30

prepared by:

revision:

3.1

approved by: M.Leifeld

IFBIP D AEC / 2009-11-30, H.Sandmann

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
T580N06TOFXPSA1	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier, 1220A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element,	获取价格
T5848ST	TTELEC	Interchangeable Wall Mount Power Supply USB 5VDC 10 Watt	获取价格
T5864ST	TTELEC	Desktop Power Supply 12V 42 Watt	获取价格
T5865ST	TTELEC	Desktop Power Supply 12V 42 Watt	获取价格
T5866ST	TTELEC	Interchangeable Wall Mount Power Supply USB 5VDC 5 Watt	获取价格
T5877ST	TTELEC	Interchangeable Wall Mount Power Supply 5VDC 18 Watt	获取价格

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