Datasheet > T580N04TOFHOSA1

T580N04TOFHOSA1

更新时间： 2024-02-18 11:53:15

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅栅极
页数	文件大小	规格书
10页	243K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1220A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

T580N04TOFHOSA1 技术参数

生命周期：	Lifetime Buy	包装说明：	DISK BUTTON, O-XXDB-X3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.74	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	150 mA	JESD-30 代码：	O-XXDB-X3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	1220 A	断态重复峰值电压：	400 V
重复峰值反向电压：	400 V	表面贴装：	YES
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UNSPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

T580N04TOFHOSA1 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T580N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

200 V

400 V

600 V

200 V

400 V

600 V

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DRM,V_RRM

^Pere^ion^din^scd^ha^et^Ve^on^{rwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung}

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

Elektrische Eigenschaften

Vorwärts-Stossspitzensperrspannung

non-repetitive peak forward off-state voltage

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DSM

250 V

450 V

650 V

Rückwärts-Stossspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

800 A

568 A

780 A

1220 A

Durchlassstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

Durchlaßstrom-Effektivwert

RMS on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

T_C= 85 °C

T_C= 55 °C, θ = 180°sin, t_P= 10 ms I_TAVM

I_TRMS

6300 A

5500 A

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

Stossstrom-Grenzwert

surge current

I_TSM

198 10³ A²s

151 10³ A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 60747-6

f = 50 Hz, i_GM= 0,6 A,

di_G/dt = 0,6 A/µs

200 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

critical rate of rise of on-state current

1000 V/µs

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

(dv_D/dt)_cr

5.Kennbuchstabe / 5^thletter F

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlassspannung

on-state voltage

max.

1,63 V

1,12 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 1500 A

T_vj= T_{vj max}, i_T= 500A

v_T

1,0 V

Schleusenspannung

threshold voltage

Ersatzwiderstand

slope resistance

Durchlasskennlinie

on-state characteristic

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

r_T

0,4 mΩ

100 A ≤ i_T≤ 2800 A

8,819E-01

6,172E-05

-8,686E-02

3,321E-02

v_T= A + B i_T+ C ln(i_T+ 1) + D

i_T

Zündstrom

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

T_vj= 25 °C, v_D= 12V

I_GT

max.

150 mA

V_GT

I_GD

max.

1,4 V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 12V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

5 mA

2,5 mA

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

Haltestrom

holding current

Einraststrom

latching current

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

V_GD

I_H

max.

0,2 V

T_vj= 25°C, v_D= 12V

200 mA

620 mA

T_vj= 25°C, v_D= 12V, R_GK≥ 10 Ω

I_L

i_GM= 0,6 A, di_G/dt = 0,6 A/µs,

t_g= 20 µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

Zündverzug

gate controlled delay time

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

t_gd

max.

30 mA

3 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

DIN IEC 60747-6

T_vj= 25 °C, i_GM= 0,6 A,

di_G/dt = 0,6 A/µs

H.Sandmann

date of publication: 2009-11-30

prepared by:

revision:

3.1

approved by: M.Leifeld

IFBIP D AEC / 2009-11-30, H.Sandmann

A 27/09

Seite/page

1/10

12 3 4 5 6 7...10

下载PDF

与T580N04TOFHOSA1相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
T580N04TOFXPSA1	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier, 1220A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element,	获取价格
T580N06TOF	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier, 1220A I(T)RMS, 568000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 El	获取价格
T580N06TOFHOSA1	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier, 1220A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element	获取价格
T580N06TOFXPSA1	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier, 1220A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element,	获取价格
T5848ST	TTELEC	Interchangeable Wall Mount Power Supply USB 5VDC 10 Watt	获取价格
T5864ST	TTELEC	Desktop Power Supply 12V 42 Watt	获取价格

与T580N04TOFHOSA1相关文章

STM32H743技术深度剖析与应用案例探索
2024-05-30

17
LM321中文资料解析：引脚功能介绍、技术特点、技术特性分析
2024-05-30

16
74HC14芯片资料介绍：性能特性分析、引脚介绍
2024-05-30

14
LM1875芯片手册：功放参数分析、引脚说明、电路设计要点
2024-05-30

11

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

T580N04TOFHOSA1

T580N04TOFHOSA1 技术参数

T580N04TOFHOSA1 数据手册

与T580N04TOFHOSA1相关器件

与T580N04TOFHOSA1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

T580N04TOFHOSA1

T580N04TOFHOSA1 技术参数

T580N04TOFHOSA1 数据手册

与T580N04TOFHOSA1相关器件

与T580N04TOFHOSA1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？