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Datasheet > 触发装置 > TRIAC> T435-800T
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T435-800T

更新时间： 2024-10-29 22:42:31
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可控硅三端双向交流开关
页数 文件大小 规格书
8页 120K
描述
4A TRIACS

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T435-800T 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
Factory Lead Time：9 weeks风险等级：1.14
其他特性：SENSITIVE GATE外壳连接：MAIN TERMINAL 2
配置：SINGLE换向电压的临界上升率-最小值：3.5 V/us
关态电压最小值的临界上升速率：250 V/us最大直流栅极触发电流：35 mA
最大直流栅极触发电压：1.5 V最大维持电流：35 mA
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：4 A重复峰值关态漏电流最大值：10 µA
断态重复峰值电压：800 V子类别：TRIACs
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SNUBBERLESS TRIAC
Base Number Matches：1

T435-800T 数据手册

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T4 Series  
®
SNUBBERLESS™ & LOGIC LEVEL  
4A TRIACS  
MAIN FEATURES:  
A2  
Symbol  
Value  
4
Unit  
A
G
I
T(RMS)  
A1  
V
/V  
600 to 800  
V
A2  
DRM RRM  
A2  
I
5 to 35  
mA  
GTT (Q )  
1
A1  
A2  
G
A1  
A2  
G
DPAK  
(T4-B)  
IPAK  
(T4-H)  
DESCRIPTION  
Based on ST’s Snubberless / Logic level technolo-  
gy providing high commutation performances, the  
T4 series is suitable for use on AC inductive loads.  
They are recommended for applications using  
universal motors, electrovalves.... such as kitchen  
aid equipments, power tools, dishwashers,...  
Available in a fully insulated package, the  
T4...-...W version complies with UL standards (ref.  
E81734).  
A2  
A1  
A2  
A1  
A2  
G
G
ISOWATT 220AB  
(T4-W)  
TO-220AB  
(T4-T)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
I
RMS on-state current (full sine wave)  
DPAK / IPAK  
TO-220AB  
A
T(RMS)  
Tc = 110°C  
4
ISOWATT 220AB  
F = 50 Hz  
Tc = 105°C  
t = 20 ms  
I
Non repetitive surge peak on-state  
current (full cycle, Tj initial = 25°C)  
30  
31  
A
TSM  
F = 60 Hz  
t = 16.7 ms  
²
²
²
tp = 10 ms  
5.1  
A s  
I t  
I t Value for fusing  
Critical rate of rise of on-state current  
dI/dt  
F = 120 Hz  
Tj = 125°C  
50  
A/µs  
I
= 2 x I , tr ≤ 100 ns  
G
GT  
I
Peak gate current  
tp = 20 µs  
Tj = 125°C  
Tj = 125°C  
4
1
A
GM  
P
Average gate power dissipation  
W
G(AV)  
T
Storage junction temperature range  
Operating junction temperature range  
- 40 to + 150  
- 40 to + 125  
stg  
°C  
T
j
June 2003 - Ed: 5  
1/8  
12345678

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T435-800T 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
T435-800W STMICROELECTRONICS

完全替代

 4A TRIACS
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完全替代

 4A TRIACS
T435-600T STMICROELECTRONICS

完全替代

 4A TRIACS

与T435-800T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
T435-800-T STMICROELECTRONICS

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 		800V, 4A, SNUBBERLESS TRIAC, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN
T435-800TTR STMICROELECTRONICS

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 		4A TRIACS
T435-800T-TR STMICROELECTRONICS

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 		4A TRIACS
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