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Datasheet > 触发装置 > TRIAC> T405Q-600B-TR
T405Q-600B-TR PDF预览

T405Q-600B-TR

更新时间： 2024-11-24 22:06:39
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 栅极触发装置可控硅三端双向交流开关PC
页数 文件大小 规格书
7页 73K
描述
Sensitive 4Q 4A TRIAC

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T405Q-600B-TR 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-252包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.30.00.80
Factory Lead Time：11 weeks风险等级：1.51
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：180616Samacsys Pin Count：4
Samacsys Part Category：Integrated CircuitSamacsys Package Category：TO-XXX (Inc. DPAK)
Samacsys Footprint Name：DPAK (TO-252)_5Samacsys Released Date：2015-07-14 08:30:56
Is Samacsys：N外壳连接：MAIN TERMINAL 2
配置：SINGLE换向电压的临界上升率-最小值：2 V/us
关态电压最小值的临界上升速率：10 V/us最大直流栅极触发电流：5 mA
最大直流栅极触发电压：1.3 V最大维持电流：10 mA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
最大漏电流：1 mA湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：4 A
断态重复峰值电压：600 V子类别：TRIACs
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30触发设备类型：4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC
Base Number Matches：1

T405Q-600B-TR 数据手册

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®
T405Q-600B-TR & T405Q-600H  
Sensitive 4Q 4A TRIAC  
A2  
MAIN FEATURES  
Symbol  
Value  
4
Unit  
IT(RMS)  
A
G
VDRM/VRRM  
IGT  
600  
5
V
A1  
mA  
A2  
A2  
DESCRIPTION  
G
A2  
The T405Q-600B-TR and the T405Q-600H 4  
quadrants sensitive TRIACs are intended in gen-  
eral purpose applications where high surge cur-  
rent capability is required, such as irrigation  
systems. These TRIACs feature a gate current ca-  
pability sensitivities of 5mA.  
G
A2  
A1  
A1  
IPAK  
(T4-H)  
DPAK  
(T4-B)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
IT(RMS)  
ITSM  
Parameter  
Value  
4
Unit  
A
RMS on-state current (Full sine wave) DPAK / IPAK Tc= 110°C  
Non repetitive surge peak on-state  
current (Full cycle, Tj initial = 25°C )  
F = 50Hz  
F = 60Hz  
t = 20ms  
35  
38  
6
A
t = 16.7ms  
I2t  
I2t Value for fusing  
tp = 10 ms  
Repetitive F = 100 Hz  
A2s  
dI/dt  
Critical rate of rise of on-state current  
50  
A/µs  
IG = 2 x IGT, tr ≤ 100ns  
IGM  
Peak gate current  
tp = 20µs  
Tj = 125°C  
Tj = 125°C  
4
A
PG(AV)  
Average gate power dissipation  
0.5  
W
Tstg  
Tj  
Storage junction temperature range  
Operating junction temperature range  
- 40 to + 150 °C  
- 40 to + 125  
July 2002 - Ed: 1A  
1/7  
1234567

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T405Q-600B-TR 替代型号

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