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T4021N

更新时间： 2024-11-16 08:49:43

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Phase Control Thyristor

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T4021N 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T 4021N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

4800

5200

5000 V

5350 V

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DRM,V_RRM

^PerK^iode^isn^cn^heda^Vt^oe^rwn^{ärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung}

^{repetitive peak forward off-state and re}E^verl^se^{e v}k^oltt^agr^eische Eigenschaften

8480 A

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

3920 A

5400 A

Dauergrenzstrom

average on-state current

T_C= 85 °C

T_C= 60 °C

105000 A

100000 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I_TSM

55000 10³ A²s

50000 10³ A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 60747-6

300 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

f = 50 Hz, i_GM= 3 A, di_G/dt = 6 A/µs

critical rate of rise of on-state current

2000 V/µs

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

5.Kennbuchstabe / 5^thletter H

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

typ.

1,67 V

1,8 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 6000A

T_vj= T_{vj max}

v_T

max.

on-state voltage

typ.

0,83 V

0,93 V

Schleusenspannung

threshold voltage

V_(TO)

r_T

max.

typ.

0,14 mΩ

Ersatzwiderstand

slope resistance

T_vj= T_{vj max}

max. 0,145 mΩ

typ.

0,25

0,0000921

0,0499

0,00565

1,192

2,260E-05

-0,1375

0,02157

Durchlaßkennlinie

600A ≤ i_F≤ 7000A

T_vj= T_{vj max}

on-state characteristic

max.

v_T= A + B i_T+ C Ln(i_T+ 1) + D

i_T

350

Zündstrom

T_vj= 25°C, v_D= 12 V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

max.

gate trigger current

3,5

Zündspannung

gate trigger voltage

max.

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

T_vj= T_{vj max}, v_D= 12 V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

20 mA

10 mA

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

0,4 V

350 mA

3 A

Haltestrom

holding current

T_vj= 25°C, v_D= 12 V

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 12 V, R_GK≥ 10 Ω

i_GM= 3 A, di_G/dt = 6 A/µs, t_g= 20 µs

I_L

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

T_vj= T_{vj max}

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

i_D, i_R

t_gd

900 mA

2 µs

Zündverzug

gate controlled delay time

DIN IEC 60747-6

T_vj= 25 °C,i_GM= 3 A, di_G/dt = 6 A/µs

C. Schneider

date of publication: 2006-12-08

revision:

prepared by:

approved by: J. Przybilla

BIP AC / SM TM, 2003-04-08, Przybilla J. / Keller

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
T4021N48TOH	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 6100A I(T)RMS, 4020000mA I(T), 4800V V(DRM), 4800V V(RRM), 1
T4021N50TOH	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 6100A I(T)RMS, 4020000mA I(T), 5000V V(DRM), 5000V V(RRM), 1
T4021N52TOH	INFINEON	获取价格	T4021N 相位控制晶闸管盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳，外壳直径 172mm，高
T4021N52TOHHOSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 6100A I(T)RMS, 5200V V(DRM), 5200V V(RRM), 1 Element
T4021N52TOHXPSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 6100A I(T)RMS, 5200V V(DRM), 5200V V(RRM), 1 Element,
T4022	PULSE	获取价格	TELECOMMUNICATIONS PRODUCTS
T402242000J0G	AMPHENOL	获取价格	Barrier Strip Terminal Block
T402243000J0G	AMPHENOL	获取价格	Barrier Strip Terminal Block
T402244000J0G	AMPHENOL	获取价格	Barrier Strip Terminal Block
T402246000J0G	AMPHENOL	获取价格	Barrier Strip Terminal Block

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