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T300N

更新时间： 2024-11-10 08:51:03

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描述
Netz-Thyristor Phase Control Thyristor

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T300N 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T300N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

_Pere_ion_din_scd_ha_et_Ve_on_{rwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung}

1200

1400

1600 V

1800 V

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DRM,V_RRM

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

Elektrische Eigenschaften

1200

1400

1600 V

1800 V

Vorwärts-Stossspitzensperrspannung

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DSM

non-repetitive peak forward off-state voltage

1300

1500

1700 V

1900 V

Rückwärts-Stossspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

400 A

Durchlassstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

303 A

T_C= 85 °C

430 A

680 A

Dauergrenzstrom

T_C= 55 °C, θ = 180°sin, t_P= 10 ms I_TAVM

average on-state current

Durchlaßstrom-Effektivwert

RMS on-state current

I_TRMS

3800 A

3400 A

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

Stossstrom-Grenzwert

surge current

I_TSM

72 10³ A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

Kritische Stromsteilheit

critical rate of rise of on-state current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

58 10³ A²s

150 A/µs

DIN IEC 60747-6

(di_T/dt)_cr

f = 50 Hz, i_GM= 0,75 A,

di_G/dt = 0,75 A/µs

1000 V/µs

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

(dv_D/dt)_cr

5.Kennbuchstabe / 5^thletter F

Charakteristische Werte / Characteristic values

max.

2,2 V

Durchlassspannung

on-state voltage

T_vj= T_{vj max}, i_T= 800 A

T_vj= T_{vj max}, i_T= 200 A

v_T

1,25 V

0,90 V

Schleusenspannung

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

r_T

threshold voltage

1,350 mΩ

Ersatzwiderstand

slope resistance

Durchlasskennlinie

on-state characteristic

100 A ≤ i_T≤ 1500 A

8,904E-01

1,255E-03

-1,126E-02

1,133E-02

v_T= A + B i_T+ C ln(i_T+ 1) + D

i_T

Zündstrom

T_vj= 25 °C, v_D= 12V

I_GT

max.

150 mA

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

V_GT

I_GD

max.

2 V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 12V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

10 mA

5 mA

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

T_vj= 25°C, v_D= 12V

V_GD

I_H

max.

0,25 V

Haltestrom

holding current

200 mA

800 mA

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 12V, R_GK≥ 10 Ω

I_L

i_GM= 0,75 A, di_G/dt = 0,75 A/µs,

t_g= 20 µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

Zündverzug

gate controlled delay time

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

t_gd

max.

30 mA

4,5 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

DIN IEC 60747-6

T_vj= 25 °C, i_GM= 0,75 A,

di_G/dt = 0,75 A/µs

H.Sandmann

date of publication: 2009-11-30

prepared by:

revision:

3.1

approved by: M.Leifeld

IFBIP D AEC / 2009-11-30, H.Sandmann

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