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T281N

更新时间： 2024-09-15 12:20:19

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Phase Control Thyristor

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T281N 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Vorläufige Daten

Preliminary data

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T281N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Fehler! Kein Thema angegeben.

6500 V

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_DRM,V_RRM

_repeK_titie_venn_ped_aa_kt_fe_on_{rward off-state and reverse voltages}

Elektrische Eigenschaften

6600 V

600 A

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_DSM

non-repetitive peak forward off-state voltage

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

280 A

380 A

Dauergrenzstrom

average on-state current

T_C= 85 °C

T_C= 60 °C

5800 A

4800 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I_TSM

168 10³ A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

115 10³ A²s

150 A/µs

DIN IEC 60747-6

Kritische Stromsteilheit

critical rate of rise of on-state current

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

f = 50 Hz, i_GM= 3 A, di_G/dt = 6 A/µs

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

5.Kennbuchstabe / 5^thletter F

1000 V/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

max.

2,75 V

1,35 V

2,8 mΩ

T_vj= T_{vj max}, i_TM= 500 A

T_vj= T_{vj max}

v_T

on-state voltage

Schleusenspannung

threshold voltage

V_(TO)

r_T

Ersatzwiderstand

slope resistance

T_vj= T_{vj max}

Durchlaßkennlinie

T_vj= T_{vj max}

-2,617E-02

on-state characteristic

3,447E-03

4,376E-01

-7,459E-02

v_T= A + B i_T+ C Ln(i_T+ 1) + D

i_T

Zündstrom

T_vj= 25°C, v_D= 12 V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

max.

350 mA

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

max.

2,5 V

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

T_vj= T_{vj max}, v_D= 12 V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

20 mA

10 mA

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

T_vj= 25°C, v_D= 12 V

max.

0,4 V

Haltestrom

holding current

max.

350 mA

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 12 V, R_GK≥ 10 Ω

i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs, t_g= 20 µs

I_L

max. 3000 mA

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

t_gd

max.

300 mA

2,5 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

Zündverzug

gate controlled delay time

DIN IEC 60747-6

T_vj= 25 °C,i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

Gehäusegrenzstrom nicht spezifiziert / case non rupture current not specified

M.Droldner

date of publication: 27.10.05

revision:

prepared by:

approved by: J.Przybilla

BIP PPE4 / 27.10.05, M.Droldner

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T2850M	ETC	获取价格	TRIAC\|600V V(DRM)\|8A I(T)RMS\|TO-220
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T2851N42TOH	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 4130000mA I(T), 4200V V(DRM),
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T2851N48TOHXPSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 6230A I(T)RMS, 4800V V(DRM), 4800V V(RRM), 1 Element,
T2851N50TOH	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 6230A I(T)RMS, 4130000mA I(T), 5000V V(DRM), 5000V V(RRM), 1

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