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T2810N18TOF VT

更新时间： 2024-09-14 14:56:35

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英飞凌 - INFINEON		/
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T2810N 相位控制晶闸管盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳，外壳直径 111mm，高度 26mm。

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T2810N18TOF VT 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T2810N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

_Pere_ion_din_scd_ha_et_Ve_on_{rwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung}

1600

1800

2000 V

2200 V

T_vj= -40 °C... T_{vj max}

V_DRM,V_RRM

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

_{Vorwärts-Stossspitzensperrspannung}Elektrische Eigenschaften

1600

1800

2000 V

2200 V

T_vj= -40 °C... T_{vj max}

V_DSM

non-repetitive peak forward off-state voltage

1700

1900

2100 V

2300 V

Rückwärts-Stossspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

T_vj= +25 °C... T_{vj max}

V_RSM

5800 A

2810 A

4070 A

6390 A

Durchlassstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

Durchlaßstrom-Effektivwert

RMS on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

T_C= 85 °C

T_C= 55 °C, θ = 180°sin, t_P= 10 ms I_TAVM

I_TRMS

58000 A

50000 A

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

Stossstrom-Grenzwert

surge current

I_TSM

16820 10³ A²s

12500 10³ A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 60747-6

200 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

f = 50 Hz, i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

critical rate of rise of on-state current

1000 V/µs

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

5.Kennbuchstabe / 5^thletter F

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlassspannung

on-state voltage

max.

2,13 V

1,25 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 11 kA

T_vj= T_{vj max}, i_T= 3 kA

v_T

0,90 V

Schleusenspannung

threshold voltage

Ersatzwiderstand

slope resistance

Durchlasskennlinie

on-state characteristic

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

r_T

0,112 mΩ

700 A ≤ i_T≤ 14100 A

9,473E-01

6,789E-05

-4,228E-02

7,908E-03

v_T= A + B i_T+ C ln(i_T+ 1) + D

i_T

Zündstrom

T_vj= 25 °C, v_D= 12V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

max.

300 mA

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

max.

2,5 V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 12V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

10 mA

5 mA

0,25 V

Haltestrom

holding current

T_vj= 25°C, v_D= 12V

max.

300 mA

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 12V, R_GK≥ 10 Ω

i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs, t_g= 20 µs

I_L

max. 1500 mA

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

Zündverzug

gate controlled delay time

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

t_gd

max.

250 mA

4 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

DIN IEC 60747-6

T_vj= 25 °C, i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

H.Sandmann

date of publication: 2010-07-19

prepared by:

revision:

3.1

approved by: M.Leifeld

IFBIP D AEC / 2010-07-19, H.Sandmann

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
T2810N18TOFVT	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 6390A I(T)RMS, 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element,
T2810N20TOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 6390A I(T)RMS, 4070000mA I(T), 2000V V(DRM), 2000V V(RRM), 1
T2810N20TOFVTXPSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 6390A I(T)RMS, 2000V V(DRM), 2000V V(RRM), 1 Element,
T2810N22TOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 6390A I(T)RMS, 4070000mA I(T), 2200V V(DRM), 2200V V(RRM), 1
T2810N22TOF VT	INFINEON	获取价格	T2810N 相位控制晶闸管盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳，外壳直径 111mm，高
T2810N22TOFVT	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier,
T2810N22TOFVTHOSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier
T2810N22TOFVTXPSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 6390A I(T)RMS, 2200V V(DRM), 2200V V(RRM), 1 Element,
T2813-PLH	ATMEL	获取价格	RF and Baseband Circuit, MO-220, VFQFP-48
T281N	EUPEC	获取价格	Phase Control Thyristor

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