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T2563NH75TOH

更新时间： 2024-11-06 05:51:15

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英飞凌 - INFINEON		光电
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Photo SCR, 7500V V(DRM),

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T2563NH75TOH 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T2563NH

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

7500

7700

8000 V

8200 V

5600 A

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_RRM

^PerK^iode^isn^cn^heda^Rt^üe^cn^{kwärts-Spitzensperrspannung}

repetitive peak and reverse voltages

Elektrische Eigenschaften

Periodische Rückwärts-Spitzensperrspannung

repetitive peak reverse voltages

T_vj= 0°C... T_{vj max}

V_RRM

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

2520 A

3570 A

Dauergrenzstrom

average on-state current

T_C= 85 °C

T_C= 60 °C

93000 A

90000 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I_TSM

43250 10³ A²s

40500 10³ A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

T_vj= 50°C, V_D≤ V_BO, i_T≥ 10kA,

5000 A/µs

Nicht periodische kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

_LM= 40mW, t_rise= 0,5µs

non periodical critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

5.Kennbuchstabe / 5^thletter H

2000 V/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values

Schutzzündspannung (statisch)

Protective break over voltage

min. 7500 V

T_vj= 25°C … T_{vj max}

Typischer Degradationsfaktor ist 0,16%/K

für Tvj = 0°C..25°C

V_BO

Typical de-rating factor of 0,16%/K is

applicable for T_vj= 0°C..25°C

typ.

2,75 V

2,95 V

Durchlaßspannung

on-state voltage

T_vj= T_{vj max}, i_T= 5000A, v_D= 200V

v_T

max.

typ.

1,12 V

1,20 V

Schleusenspannung

threshold voltage

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

r_T

max.

typ. 0,326 mΩ

max. 0,350 mΩ

Ersatzwiderstand

slope resistance

T_vj= T_{vj max}

typ.

1,2357

Durchlaßkennlinie on-state characteristic

T_vj= T_{vj max}

-2,89E-05

-0,1322

0,03946

1,2406

-2,253E-05

-0,1232

0,04056

v_T= A + B i_T+ C Ln(i_T+ 1) + D

i_T

max.

minimale Zündlichtleistung

T_vj= 25°C, v_D= 200V

T_vj= 25°C

P_LM

I_H

max.

minimum gate trigger light power

Haltestrom

holding current

100 mA

1 A

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 200V,

P_LM= 40mW, t_rise= 0,5µs

I_L

Rückwärts-Sperrstrom

reverse blocking current

T_vj= T_{vj max}

v_R= V_RRM

i_R

900 mA

5 µs

Zündverzug

gate controlled delay time

DIN IEC 60747-6

t_gd

T_vj= 25 °C, vD = 1000V ,

_LM= 40mW, t_rise= 0,5µs

C. Schneider

date of publication: 2005-09-12

revision: 10

prepared by:

approved by: J. Przybilla

BIP AM / SM PB, 2001-10-18, Przybilla J. / Keller

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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T25D128ABEGT	HMSEMI	获取价格	3V 128M-BIT SERIAL NOR FLASH WITH DUAL AND QUAD SPI&QPI
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