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Datasheet > 触发装置 > TRIAC> T2550H-600TRG
T2550H-600TRG PDF预览

T2550H-600TRG

更新时间： 2024-01-22 08:53:05
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 栅极触发装置可控硅三端双向交流开关局域网
页数 文件大小 规格书
8页 109K
描述
Snubberless high temperature 25 A Triacs

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T2550H-600TRG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.78
Is Samacsys：N外壳连接：MAIN TERMINAL 2
配置：SINGLE关态电压最小值的临界上升速率：500 V/us
最大直流栅极触发电流：50 mA最大直流栅极触发电压：1.3 V
最大维持电流：75 mAJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
最大漏电流：8.5 mA元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：25 A断态重复峰值电压：600 V
子类别：TRIACs表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SNUBBERLESS TRIACBase Number Matches：1

T2550H-600TRG 数据手册

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T2550H  
Snubberless™ high temperature 25 A Triacs  
Main features  
A2  
Symbol  
Value  
Unit  
G
IT(RMS)  
25  
600  
50  
A
A1  
VDRM/VRRM  
V
A2  
IGT (Q )  
mA  
1
Description  
A1  
A2  
G
Specifically designed for use in high temperature  
environment (found in hot appliances such as  
cookers, ovens, hobs, electric heaters, coffee  
machines...), the new 25 A T2550H triacs provide  
an enhanced performance in terms of power loss  
and thermal dissipation. This allows for  
T0-220AB  
T2550H-600TRG  
optimization of the heatsinking dimensioning,  
leading to space and cost effectivness when  
compared to electro-mechanical solutions.  
Order code  
Based on ST snubberless technology, they offer  
high commutation switching capabilities and high  
noise immunity levels. And, thanks to their clip  
assembly technique, they provide a superior  
performance in surge current handling.  
Part Number  
T2550H-600TRG  
Marking  
T2550H600T  
Table 1.  
Symbol  
IT(RMS)  
Absolute maximum ratings  
Parameter  
Value  
Unit  
RMS on-state current (full sine wave)  
Tc = 125°C  
25  
A
F = 50 Hz  
F = 60 Hz  
tp = 10 ms  
t = 20 ms  
250  
260  
340  
Non repetitive surge peak on-state  
current (full cycle, Tj initial = 25° C)  
ITSM  
A
t = 16.7 ms  
²
²
²
I t  
I t Value for fusing  
A s  
Critical rate of rise of on-state current  
IG = 2 x IGT , tr ≤ 100 ns  
dI/dt  
F = 120 Hz  
Tj = 150°C  
Tj = 25°C  
50  
A/µs  
V
Non repetitive surge peak off-state  
voltage  
V
DSM/VRSM  
tp = 10 ms  
tp = 20 µs  
700  
IGM  
Peak gate current  
Tj = 150°C  
Tj = 150°C  
4
1
A
PG(AV)  
Average gate power dissipation  
W
Tstg  
Tj  
Storage junction temperature range  
Operating junction temperature range  
- 40 to + 150  
- 40 to + 150  
°C  
June 2006  
Rev 7  
1/8  
www.st.com  
8
12345678

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