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T1930N32TOF VT

更新时间： 2024-09-19 14:52:07

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英飞凌 - INFINEON		/
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描述
T1930N 相位控制晶闸管盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳，外壳直径 111mm，高度 26mm。

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T1930N32TOF VT 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Vorläufige Daten

preliminary data

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T1930N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

_Pere_ion_din_scd_ha_et_Ve_on_{rwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung}

3200

3400

3600 V

3800 V

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DRM,V_RRM

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

_{Vorwärts-Stossspitzensperrspannung}Elektrische Eigenschaften

3200

3400

3600 V

3800 V

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DSM

non-repetitive peak forward off-state voltage

3300

3500

3700 V

3900 V

Rückwärts-Stossspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

4200 A

2180 A

3140 A

4920 A

Durchlassstrom-Grenzeffektivwert

I_TRMSM

I_TAVM

maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

Durchlaßstrom-Effektivwert

RMS on-state current

T_C= 85 °C

T_C= 55 °C, θ = 180°sin, t_P= 10 ms I_TAVM

I_TRMS

40000 A

37000 A

T_vj= 25 °C °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

Stossstrom-Grenzwert

surge current

I_TSM

8000 10³ A²s

6850 10³ A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 60747-6

f = 50 Hz, i_GM= 1,6A,

di_G/dt = 1,6 A/µs

150 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

critical rate of rise of on-state current

1000 V/µs

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

(dv_D/dt)_cr

5.Kennbuchstabe / 5^thletter F

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlassspannung

on-state voltage

max.

2,90 V

1,60 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 8 kA

T_vj= T_{vj max}, i_T= 2 kA

v_T

1,08 V

Schleusenspannung

threshold voltage

Ersatzwiderstand

slope resistance

Durchlasskennlinie

on-state characteristic

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

r_T

0,20 mΩ

1000 A ≤ i_T≤ 11000 A

2,085E+00

7,262E-05

-2,440E-01

2,706E-02

v_T= A + B i_T+ C ln(i_T+ 1) + D

i_T

Zündstrom

T_vj= 25 °C, v_D= 12V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

max.

300 mA

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

Haltestrom

holding current

max.

3 V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 12V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

10 mA

5 mA

0,25 V

T_vj= 25°C, v_D= 12V

max.

300 mA

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 12V, R_GK≥ 10 Ω

I_L

max. 1500 mA

i_GM= 1,6 A, di_G/dt = 1,6 A/µs,

t_g= 20 µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

Zündverzug

gate controlled delay time

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

t_gd

max.

300 mA

3 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

DIN IEC 60747-6

T_vj= 25 °C, i_GM= 1,6 A,

di_G/dt = 1,6 A/µs

H.Sandmann

date of publication: 2008-03-06

prepared by:

revision:

1.3

approved by: J.Przybilla

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IFBIP D AEC / 2008-03-04, H.Sandmann

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
T1930N32TOFVTXPSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 4920A I(T)RMS, 3200V V(DRM), 3200V V(RRM), 1 Element,
T1930N34TOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 4920A I(T)RMS, 2180000mA I(T), 3400V V(DRM), 3400V V(RRM), 1
T1930N34TOF VT	INFINEON	获取价格	T1930N 相位控制晶闸管盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳，外壳直径 111mm，高
T1930N34TOFVT	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 4920A I(T)RMS, 3400V V(DRM), 3400V V(RRM), 1 Element,
T1930N34TOFVTXPSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 4920A I(T)RMS, 3400V V(DRM), 3400V V(RRM), 1 Element,
T1930N36TOF VT	INFINEON	获取价格	T1930N 相位控制晶闸管盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳，外壳直径 111mm，高
T1930N38TOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 4920A I(T)RMS, 2180000mA I(T), 3800V V(DRM), 3800V V(RRM), 1
T1930N38TOF VT	INFINEON	获取价格	T1930N 相位控制晶闸管盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳，外壳直径 111mm，高
T1930N38TOFVT	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier,
T19-36	ETC	获取价格	T 19-36

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