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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 标称电路换相断开时间： | 180 µs |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 1000 V/us | 最大直流栅极触发电流： | 150 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 1.4 V | 最大维持电流： | 200 mA |
| 最大漏电流： | 30 mA | 通态非重复峰值电流： | 3500 A |
| 最大通态电压： | 1.93 V | 最大通态电流： | 130000 A |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 断态重复峰值电压： | 1100 V | 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers |
| 表面贴装： | NO | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| T130N1100WOF | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 130000mA I(T), 1100V V(DRM), |
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| T130N1200BOF | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 130000mA I(T), 1200V V(DRM), |
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| T130N1200EOC | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 130000mA I(T), 1200V V(DRM), |
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| T130N1200EOF | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 130000mA I(T), 1200V V(DRM), |
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| T130N1200VOF | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 130000mA I(T), 1200V V(DRM), |
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| T130N1200WOC | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 130000mA I(T), 1200V V(DRM), |
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| T130N12BOF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 300A I(T)RMS, 130000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 E |
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| T130N12EOF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 300A I(T)RMS, 130000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 E |
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| T130N14EOF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 300A I(T)RMS, 130000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 E |
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| T130N1600EOC | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 130000mA I(T), 1600V V(DRM), |
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