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Datasheet > 触发装置 > TRIAC> T1235H-600TRG
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T1235H-600TRG

更新时间： 2024-02-15 05:20:32
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可控硅三端双向交流开关
页数 文件大小 规格书
7页 97K
描述
12A TRIACS

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T1235H-600TRG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.27外壳连接：MAIN TERMINAL 2
配置：SINGLE关态电压最小值的临界上升速率：300 V/us
最大直流栅极触发电流：35 mA最大直流栅极触发电压：1.3 V
最大维持电流：35 mAJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
最大漏电流：5.5 mA元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：12 A断态重复峰值电压：600 V
子类别：TRIACs表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SNUBBERLESS TRIACBase Number Matches：1

T1235H-600TRG 数据手册

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T1235H Series  
®
SNUBBERLESS™ HIGH TEMPERATURE  
12A TRIACS  
MAIN FEATURES:  
A2  
Symbol  
Value  
12  
Unit  
A
G
I
T(RMS)  
A1  
V
/V  
600  
V
DRM RRM  
A2  
A2  
I
35  
mA  
GT (Q )  
1
DESCRIPTION  
A1  
A2  
G
A1  
A2  
G
Specifically designed for use in high temperature  
environment (found in hot appliances such as  
cookers, ovens, hobs, electric heaters, coffee  
machines...), the new 12 Amps T1235H triacs  
provide an enhanced performance in terms of  
power loss and thermal dissipation. This allows for  
optimization of the heatsinking dimensioning,  
leading to space and cost effectivness when  
compared to electro-mechnical solutions.  
2
D PAK  
(T1235-G)  
TO-220AB  
(T1235-T)  
Based on ST snubberless technology, they offer  
high commutation switching capabilities and high  
noise immunity levels. And, thanks to their clip  
assembly technique, they provide a superior  
performance in surge current handling.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
RMS on-state current (full sine wave)  
Value  
Unit  
A
I
Tc = 135°C  
t = 16.7 ms  
t = 20 ms  
12  
T(RMS)  
I
Non repetitive surge peak on-state  
current (full cycle, Tj initial = 25°C)  
F = 60 Hz  
F = 50 Hz  
145  
140  
A
TSM  
²
²
²
tp = 10 ms  
112  
A s  
I t  
I t Value for fusing  
Critical rate of rise of on-state current  
dI/dt  
F = 120 Hz  
Tj = 150°C  
Tj = 25°C  
50  
A/µs  
V
I
= 2 x I , tr ≤ 100 ns  
G
GT  
Non repetitive surge peak off-state  
voltage  
V
/V  
700  
tp = 10 ms  
tp = 20 µs  
DSM RSM  
I
Peak gate current  
Tj = 150°C  
Tj = 150°C  
4
1
A
GM  
P
Average gate power dissipation  
W
G(AV)  
T
Storage junction temperature range  
Operating junction temperature range  
- 40 to + 150  
- 40 to + 150  
stg  
°C  
T
j
April 2002 - Ed: 5A  
1/7  
1234567

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