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Datasheet > 触发装置 > TRIAC> T1235H-600GRG
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T1235H-600GRG

更新时间： 2024-02-28 00:27:21
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可控硅三端双向交流开关
页数 文件大小 规格书
8页 92K
描述
12A TRIACS

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T1235H-600GRG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.27外壳连接：MAIN TERMINAL 2
配置：SINGLE关态电压最小值的临界上升速率：300 V/us
最大直流栅极触发电流：35 mA最大直流栅极触发电压：1.3 V
最大维持电流：35 mAJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
最大漏电流：5.5 mA元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：12 A断态重复峰值电压：600 V
子类别：TRIACs表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SNUBBERLESS TRIACBase Number Matches：1

T1235H-600GRG 数据手册

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T1235H  
®
12A TRIACS  
SNUBBERLESS™ HIGH TEMPERATURE  
Table 1: Main Features  
A2  
A1  
Symbol  
IT(RMS)  
Value  
Unit  
12  
A
G
VDRM/VRRM  
600  
35  
V
A2  
IGT (Q )  
mA  
1
A2  
A1  
A2  
G
A1  
A2  
G
DESCRIPTION  
Specifically designed for use in high temperature  
environment (found in hot appliances such as  
cookers, ovens, hobs, electric heaters, coffee ma-  
chines...), the new 12 Amps T1235H triacs provide  
an enhanced performance in terms of power loss  
and thermal dissipation. This allows for optimiza-  
tion of the heatsinking dimensioning, leading to  
space and cost effectivness when compared to  
electro-mechnical solutions.  
Based on ST snubberless technology, they offer  
high commutation switching capabilities and high  
noise immunity levels. And, thanks to their clip as-  
sembly technique, they provide a superior per-  
formance in surge current handling.  
D2PAK  
(T1235H-600G)  
TO-220AB  
(T1235H-600T)  
Table 2: Order Codes  
Part Number  
Marking  
T1235H-600G  
T1235H-600G-TR  
T1235H-600TRG  
T1235H600G  
T1235H600G  
T1235H600T  
Table 3: Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Value  
12  
Unit  
IT(RMS)  
Tc = 135°C  
RMS on-state current (full sine wave)  
A
F = 50 Hz  
t = 20 ms  
140  
145  
112  
Non repetitive surge peak on-state  
current (full cycle, Tj initial = 25°C)  
ITSM  
A
F = 60 Hz  
t = 16.7 ms  
²
²
²
tp = 10 ms  
I t  
I t Value for fusing  
A s  
Critical rate of rise of on-state  
Tj = 150°C  
Tj = 25°C  
dI/dt  
F = 120 Hz  
50  
A/µs  
V
current IG = 2 x IGT , tr ≤ 100 ns  
Non repetitive surge peak off-state  
voltage  
VDSM/VRSM  
tp = 10 ms  
tp = 20 µs  
700  
IGM  
Tj = 150°C  
Tj = 150°C  
Peak gate current  
4
1
A
PG(AV)  
Average gate power dissipation  
W
Tstg  
Tj  
- 40 to + 150  
- 40 to + 150  
Storage junction temperature range  
Operating junction temperature range  
°C  
February 2006  
REV. 6  
1/8  
12345678

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