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T106D1SS PDF预览

T106D1SS

更新时间： 2024-11-07 19:54:47
品牌 Logo 应用领域
HUTSON 局域网栅三端双向交流开关栅极
页数 文件大小 规格书
2页 245K
描述
4 Quadrant Logic Level TRIAC, 400V V(DRM), 4A I(T)RMS, TO-202,

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T106D1SS 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.84
其他特性：SENSITIVE GATE外壳连接：MAIN TERMINAL 2
配置：SINGLE关态电压最小值的临界上升速率：10 V/us
最大直流栅极触发电流：3 mA最大直流栅极触发电压：2 V
最大维持电流：5 mAJEDEC-95代码：TO-202
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
最大漏电流：0.5 mA元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：110 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：4 A断态重复峰值电压：400 V
子类别：TRIACs表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIACBase Number Matches：1

T106D1SS 数据手册

 浏览型号T106D1SS的Datasheet PDF文件第2页 
MAXIMUM RATINGS  
SYMBOL  
VDRM  
DEVICE NUMBERS  
UNITS  
200  
400  
600  
T106B*SS T106B*SD T106B*SG T106B*SH  
T106D*SS T106D*SD T106D*SG T106D*SH  
T106M*SS T106M*SD T106M*SG T106M*SH  
REPETITIVE PEAK OFF-STATE VOLTAGE (1)  
GATE OPEN, AND TJ = 110° C  
VOLT  
VDRM  
RMS ON-STATE CURRENT AT TC = 80º C AND  
CONDUCTION, ANGLE OF 360º  
IT(RMS)  
ITSM  
4.0  
40  
4.0  
40  
4.0  
40  
4.0  
40  
AMP  
AMP  
PEAK SURGE (NON-REPETITIVE) ON-STATE CURRENT,  
ONE-CYCLE, AT 50HZ OR 60HZ  
PEAK GATE - TRIGGER CURRENT FOR 3µSEC. MAX.  
PEAK GATE-POWER DISSIPATION AT IGT < IGTM  
AVERAGE GATE - POWER DISSIPATION  
STORAGE TEMPERATURE RANGE  
IGTM  
PGM  
1.2  
15  
1.2  
15  
1.2  
15  
1.2  
15  
AMP  
WATT  
WATT  
°C  
PG(AV)  
Tstg  
0.3  
0.3  
0.3  
0.3  
-40 to +150  
-40 to +110  
OPERATING TEMPERATURE RANGE, Tj  
Toper  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
AT SPECIFIED CASE TEMPERATURES  
PEAK OFF - STATE CURRENT (1) GATE OPEN  
TC = 110° C VDRM = MAX. RATING  
MAXIMUM ON - STATE VOLTAGE, (1) AT TC = 25° C AND  
IT = RATED AMPS  
MA  
MAX.  
VOLT  
MAX.  
IDRM  
VTM  
IHO  
0.5  
1.6  
5
0.5  
0.5  
1.6  
15  
0.5  
1.6  
25  
1.6  
10  
10  
MA  
MAX.  
DC HOLDING CURRENT, (1) GATE OPEN AND TC = 25° C  
CRITICAL RATE-OR-RISE OF OFF-STATE VOLTAGE, (1)  
FOR VD = VDRM GATE OPEN, TC = 110° C  
CRITICAL  
dv/dt  
10  
15  
25  
V/µSEC.  
CRITICAL RATE-OF-RISE OF COMMUNICATION  
VOLTAGE, (1) AT TC = 80° C, GATE UNENERGIZED,  
VD = VDRM, IT = IT (RMS)  
DC GATE - TRIGGER CURRENT FOR  
VD = 12VDC. RL = 60 OHM AND AT  
TC = 25° C  
COMMUTATING  
dv/dt  
1
3
1
5
1
1
V/µSEC.  
MA  
MAX.  
IGT  
10  
2.0  
25  
2.0  
(T2 + GATE + T2 - GATE-) Q 1 & 3  
(T2 + GATE - T2 - GATE +) Q 2 & 4  
DC GATE - TRIGGER VOLTAGE FOR  
VD = 12VDC. RL = 60 OHM AND AT  
TC = 25° C  
VOLT  
MAX.  
VGT  
2.0  
2.0  
GATE CONTROLLED TURN-ON TIME  
FOR VD = VDRM IGT = 80MA  
TR = 0.1 µSEC., IT = 6A (PEAK) AND TC = 25° C  
Tgt  
3
4
3
4
3
4
3
4
µSEC.  
°C / WATT  
TYP  
R0J-C  
THERMAL RESISTANCE, JUNCTION-TO-CASE  
*NOTES:  
(1) All values apply in either direction  
*Part Number requires a “1” for Type 1 or a “2” for Type 2  
SOLID STATE CONTROL DEVICES  
12  
12

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