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T0640VC33E

更新时间: 2024-11-06 14:56:43
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力特 - LITTELFUSE 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 636K
描述
作为压装IGBT技术的开创者,我们能够提供多种一流的器件,额定电压分别为1.7kV(900V直流链)、2.5kV(1.25kV直流链)、3.3kV(1.8kV直流链)、4.5kV(2.8kV直流链

T0640VC33E 数据手册

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Date:- 16 Sep, 2019  
Data Sheet Issue:- P1  
Tentative Data  
Insulated Gate Bi-Polar Transistor  
Type T0640VC33E  
Absolute Maximum Ratings  
MAXIMUM  
LIMITS  
3300  
VOLTAGE RATINGS  
UNITS  
VCES  
Collector emitter voltage  
V
V
V
VDC link  
VGES  
Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate.  
Peak gate emitter voltage  
1800  
±20  
MAXIMUM  
LIMITS  
640  
RATINGS  
UNITS  
IC  
Continuous DC collector current, IGBT  
Repetitive peak collector current, tp=1ms, IGBT  
Maximum reverse emitter current, tp=100µs, (note 2 & 3)  
Maximum power dissipation, IGBT (note 2)  
Operating temperature range  
A
A
ICRM  
IECO  
PMAX  
Tj op  
Tstg  
1280  
640  
A
4.1  
kW  
°C  
°C  
-40 to +125  
-40 to +125  
Storage temperature range  
Notes: -  
1) Unless otherwise indicated Tj = 125ºC.  
2) Tsink = 25°C, double side cooled.  
3) Maximum commutation loop inductance 650nH.  
Prospective Data Sheet T0640VC33E Issue P1  
Page 1 of 7  
September, 2019  

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