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T0600TA45A

更新时间： 2024-01-08 05:15:22

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IXYS		栅晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	369K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 776A I(C), 4500V V(BR)CES, N-Channel,

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T0600TA45A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.73	最大集电极电流 (IC)：	776 A
集电极-发射极最大电压：	4500 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：	O-CEDB-N3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	END	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	2400 ns
标称接通时间 (ton)：	3700 ns	Base Number Matches：	1

T0600TA45A 数据手册

Date:- 19 Dec, 2006

Data Sheet Issue:- 1

WESTCODE

An IXYS Company

Prospective Data

Insulated Gate Bi-Polar Transistor

Type T0600TA45A

Absolute Maximum Ratings

MAXIMUM

LIMITS

4500

VOLTAGE RATINGS

UNITS

V_CES

V_{DC link}

V_GES

Collector – emitter voltage

Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate.

Peak gate – emitter voltage

2800

±20

MAXIMUM

LIMITS

776

RATINGS

UNITS

I_C(DC)

I_CRM

I_F(DC)

I_FRM

P_MAX

(di/dt)_cr

T_j

Continuous DC collector current, IGBT (Note 3)

Repetitive peak collector current, t_p=1ms, IGBT

Continuous DC forward current, Diode (note 2 & 4)

Repetitive peak forward current, t_p=1ms, Diode

Maximum power dissipation, IGBT (note 3)

Critical diode di/dt (note 4)

1000

637

1000

6.2

2000

A/µs

°C

Operating temperature range.

Storage temperature range.

-40 to +125

T_stg

Notes: -

1) Unless otherwise indicated T_j= 125ºC.

2) T_sink= 55°C, double side cooled.

3) T_sink= 25°C, double side cooled.

4) Maximum commutation loop inductance 1µH.

Prospective Data Sheet T0600TA45A Issue 1

Page 1 of 8

December, 2006

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