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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | WAFER | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.72 | 应用： | GENERAL PURPOSE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | X-XUUC-N |
| JESD-609代码： | e3 | 最大非重复峰值正向电流： | 1800 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 最大输出电流： | 83 A | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | UNSPECIFIED | 封装形式： | UNCASED CHIP |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 1200 V | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 35 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| T-DWN9-12 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 26A, 1200V V(RRM), Silicon, WAFER |
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| T-DWP110-12 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 157A, 1200V V(RRM), Silicon, WAFER |
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| T-DWP110-18 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 157A, 1800V V(RRM), Silicon, WAFER |
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| T-DWP17-12 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 31A, 1200V V(RRM), Silicon, WAFER |
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| T-DWP17-18 | IXYS |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 31A, 1800V V(RRM), Silicon, WAFER |
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| T-DWP21-12 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 42A, 1200V V(RRM), Silicon, WAFER |
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| T-DWP21-18 | IXYS |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 42A, 1800V V(RRM), Silicon, WAFER |
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| T-DWP35-18 | IXYS |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 53A, 1800V V(RRM), Silicon, WAFER |
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| T-DWP50-18 | IXYS |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 64A, 1800V V(RRM), Silicon, WAFER |
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| T-DWP5-12 | IXYS |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 14A, 1200V V(RRM), Silicon, WAFER |
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最详细资料解析：BA5917AFP参数说明、引脚说明
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