5秒后页面跳转
T-DWN50-12 PDF预览

T-DWN50-12

更新时间: 2024-01-13 21:30:51
品牌 Logo 应用领域
IXYS 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 199K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 64A, 1200V V(RRM), Silicon, WAFER

T-DWN50-12 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:WAFER
包装说明:WAFERReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.40
风险等级:5.76应用:GENERAL PURPOSE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:X-XUUC-N
JESD-609代码:e3最大非重复峰值正向电流:1100 A
元件数量:1相数:1
最大输出电流:64 A封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:UNSPECIFIED封装形式:UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:1200 V表面贴装:YES
端子面层:MATTE TIN端子形式:NO LEAD
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:35
Base Number Matches:1

T-DWN50-12 数据手册

 浏览型号T-DWN50-12的Datasheet PDF文件第2页 

与T-DWN50-12相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
T-DWN50-18 IXYS

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 64A, 1800V V(RRM), Silicon, WAFER
T-DWN5-08 IXYS

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 14A, 800V V(RRM), Silicon, WAFER
T-DWN5-12 IXYS

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 14A, 1200V V(RRM), Silicon, WAFER
T-DWN75-12 IXYS

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 83A, 1200V V(RRM), Silicon, WAFER
T-DWN9-12 IXYS

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 26A, 1200V V(RRM), Silicon, WAFER
T-DWP110-12 IXYS

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 157A, 1200V V(RRM), Silicon, WAFER
T-DWP110-18 IXYS

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 157A, 1800V V(RRM), Silicon, WAFER
T-DWP17-12 IXYS

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 31A, 1200V V(RRM), Silicon, WAFER
T-DWP17-18 IXYS

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 31A, 1800V V(RRM), Silicon, WAFER
T-DWP21-12 IXYS

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 42A, 1200V V(RRM), Silicon, WAFER