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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | WAFER |
| 包装说明： | WAFER | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.40 |
| 风险等级： | 5.74 | 应用： | GENERAL PURPOSE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | X-XUUC-N |
| JESD-609代码： | e3 | 最大非重复峰值正向电流： | 150 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 最大输出电流： | 15 A | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | UNSPECIFIED | 封装形式： | UNCASED CHIP |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 1600 V | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 35 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| T-DWN340-18 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 250A, 1800V V(RRM), Silicon, WAFER |
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| T-DWN347-18 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 400A, 1800V V(RRM), Silicon, WAFER |
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| T-DWN35-12 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 53A, 1200V V(RRM), Silicon, WAFER |
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| T-DWN35-18 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 53A, 1800V V(RRM), Silicon, WAFER |
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| T-DWN50-12 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 64A, 1200V V(RRM), Silicon, WAFER |
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| T-DWN50-18 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 64A, 1800V V(RRM), Silicon, WAFER |
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| T-DWN5-08 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 14A, 800V V(RRM), Silicon, WAFER |
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| T-DWN5-12 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 14A, 1200V V(RRM), Silicon, WAFER |
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| T-DWN75-12 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 83A, 1200V V(RRM), Silicon, WAFER |
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| T-DWN9-12 | IXYS |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 26A, 1200V V(RRM), Silicon, WAFER |
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