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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | WAFER | 包装说明： | X-XUUC-N |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.40 | 风险等级： | 5.76 |
| 应用： | GENERAL PURPOSE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | X-XUUC-N | JESD-609代码： | e3 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 3400 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 最大输出电流： | 152 A |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | UNSPECIFIED |
| 封装形式： | UNCASED CHIP | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 1600 V |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 35 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| T-DWN108-22 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 152A, 2200V V(RRM), Silicon, WAFER |
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| T-DWN110-12 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 157A, 1200V V(RRM), Silicon, WAFER |
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| T-DWN110-18 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 157A, 1800V V(RRM), Silicon, WAFER |
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| T-DWN21-12 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 42A, 1200V V(RRM), Silicon, WAFER |
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| T-DWN21-18 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 42A, 1800V V(RRM), Silicon, WAFER |
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| T-DWN2-12 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15A, 1200V V(RRM), Silicon, WAFER |
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| T-DWN2-16 | IXYS |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15A, 1600V V(RRM), Silicon, WAFER |
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| T-DWN340-18 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 250A, 1800V V(RRM), Silicon, WAFER |
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| T-DWN347-18 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 400A, 1800V V(RRM), Silicon, WAFER |
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| T-DWN35-12 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 53A, 1200V V(RRM), Silicon, WAFER |
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