是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.71 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | TRI-STATE | 最长下降时间: | 8 ns |
频率调整-机械: | NO | 频率稳定性: | 100% |
JESD-609代码: | e4 | 安装特点: | SURFACE MOUNT |
最大工作频率: | 100 MHz | 最小工作频率: | 0.02 MHz |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
振荡器类型: | CMOS/LSTTL | 输出负载: | 10 LS TTL, 15 pF |
物理尺寸: | 7.0mm x 5.0mm x 1.9mm | 最长上升时间: | 8 ns |
最大供电电压: | 3.6 V | 最小供电电压: | 3 V |
标称供电电压: | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
最大对称度: | 40/60 % | 端子面层: | Gold (Au) |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
T930N | INFINEON |
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Netz-Thyristor Phase Control Thyristor | |
T930N32TOF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 2110A I(T)RMS, 930000mA I(T), 3200V V(DRM), 3200V V(RRM), 1 | |
T930N32TOFVTXPSA1 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 2110A I(T)RMS, 3200V V(DRM), 3200V V(RRM), 1 Element, | |
T930N34TOF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 2110A I(T)RMS, 930000mA I(T), 3400V V(DRM), 3400V V(RRM), 1 | |
T930N36TOF VT | INFINEON |
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T930N 相位控制晶闸管盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳,外壳直径 75mm,高度 | |
T930N36TOFVT | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, | |
T930N36TOFVTHOSA1 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier | |
T930N36TOFVTXPSA1 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 2110A I(T)RMS, 3600V V(DRM), 3600V V(RRM), 1 Element, | |
T930S | INFINEON |
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Netz-Thyristor Phase Control Thyristor | |
T930S16TFB | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 930000mA I(T), 1600V V(DRM) |