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T-1200-4G

更新时间： 2024-11-28 08:39:15

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RHOMBUS-IND		变压器
页数	文件大小	规格书
1页	31K
描述
WIDE BAND TRANSFORMER

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T-1200-4G 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.08	Is Samacsys：	N
ET产品最小值：	8 V-us	高度：	4.83 mm
长度：	22.48 mm	安装特点：	SURFACE MOUNT
包装方法：	TUBE	物理尺寸：	22.48mm X 7.24mm X 4.83mm
初级电感：	400 µH	表面贴装：	YES
变压器类型：	RF TRANSFORMER	匝数比 (Np:Ns)：	1:2
宽度：	7.24 mm	Base Number Matches：	1

T-1200-4G 数据手册

WIDE BAND TRANSFORMER

Turns Ratio ( + 2 % )

1 : 2

QUAD STYLE

PARAMETER

MIN.

TYP.

MAX.

UNITS

(4 Transformers per Package)

Inductance

Primary

400

µH

Flammability: Materials used in

the production of these units

meet requirements of UL94-VO

and IEC 695-2-2 needle flame

test.

Leakage Inductance

150

0.4

300

DC Resistance

Primary

ohms

DC Resistance

Secondary

0.7

ohms

Parts shipped in anti-static

tubes. 19 pieces per tube

Interwinding Capacitance

8.0

VµS

Vrms

SMD versions

available on

Tape & Reel

Hi-pot

500

Impedance: >600 Ω 3 to 10 MHz

Physical Dimensions

inches (mm)

Schematic Diagram

SEC.

T-1200-4G

RHOMBUS P/N:

CUST P/N:

PRI.

NAME:

DATE: 11/10/99

SHEET:

1 of 1

15801 Chemical Lane, Huntington Beach, CA 92649

Phone: (714) 898-0960

Rh om bu s

In du st ries In c.

FAX: (714) 896-0971

Tra nsfo rm e rs & Ma g ne tic Pro d uc ts

www.rhombus-ind.com

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T-1200-4G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
T-12001	RHOMBUS-IND	功能相似	Wideband RF Impedance Matching Transformers

与T-1200-4G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
T-12005	RHOMBUS-IND	获取价格	Wideband RF Impedance Matching Transformers
T-12006	RHOMBUS-IND	获取价格	Wideband RF Impedance Matching Transformers
T-12007	RHOMBUS-IND	获取价格	Wideband RF Impedance Matching Transformers
T-12008	RHOMBUS-IND	获取价格	Wideband RF Impedance Matching Transformers
T-12009	RHOMBUS-IND	获取价格	Wideband RF Impedance Matching Transformers
T1200EA45E	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 2132A I(C), 4500V V(BR)CES, N-Channel,
T1200EB45E	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200A I(C), 4500V V(BR)CES, N-Channel,
T1200N	ETC	获取价格	PHASE CONTROL THYRISTORS
T1200N1800TOC	VISHAY	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1200000mA I(T), 1800V V(DRM),
T1200TA25A	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1141A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, TA, 4 PIN