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力特 - LITTELFUSE | ![]() |
光电二极管 |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
7页 | 272K | ![]() |
描述 | ||
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 6.4V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, SMB, 2 PIN |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | R-PDSO-C2 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 5.79 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, LOW ZENER IMPEDANCE, UL RECOGNIZED | 最大击穿电压: | 7.88 V |
最小击穿电压: | 7.13 V | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JESD-30 代码: | R-PDSO-C2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 最大非重复峰值反向功率耗散: | 600 W |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性: | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散: | 0.55 W |
参考标准: | AEC-Q101 | 最大重复峰值反向电压: | 6.4 V |
表面贴装: | YES | 技术: | ZENER |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | C BEND |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SZP6SMB75AT3G | LITTELFUSE |
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SZP6SMB系列专为保护电压敏感型组件免受高电压、高能量瞬态事件的损坏而设计。 具有一流 |
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SZP6SMB75CAT3G | LITTELFUSE |
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SZ1SMA系列专为保护电压敏感型组件免受高电压、高能量瞬态事件的损坏而设计。 它具有一流 |
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SZP6SMB8.2AT3G | ONSEMI |
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DIODE TVS DIODE, Transient Suppressor |
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SZP6SMB8.2AT3G | LITTELFUSE |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 7.02V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, SM |
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SZP6SMB82AT3G | LITTELFUSE |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 70.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, SM |
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SZP6SMB82CAT3G | LITTELFUSE |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 70.1V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, SMB |
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SZP6SMB9.1AT3G | LITTELFUSE |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 7.78V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, SM |
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SZP6SMB9.1AT3G | ONSEMI |
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DIODE TVS DIODE, Transient Suppressor |
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SZP6SMB91AT3G | LITTELFUSE |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 77.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, SM |
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SZP6SMB91CAT3G | LITTELFUSE |
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SZ1SMA系列专为保护电压敏感型组件免受高电压、高能量瞬态事件的损坏而设计。 它具有一流 |
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