SZMA3075WALT1G

更新时间： 2023-06-19 14:31:46

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安森美 - ONSEMI		测试光电二极管瞬态抑制器
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描述
ESD 保护双共阳极二极管 SOT-23

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SZMA3075WALT1G 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.79	其他特性：	LOW CAPACITANCE
最大击穿电压：	7.9 V	最小击穿电压：	7.2 V
击穿电压标称值：	7.5 V	配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.9 V	JEDEC-95代码：	TO-236
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值反向功率耗散：	15 W
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.225 W
参考标准：	AEC-Q101, IEC-61000-4-2	最大重复峰值反向电压：	6.5 V
最大反向电流：	60 µA	反向测试电压：	6.5 V
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

SZMA3075WALT1G 数据手册

MA3075WALT1

Preferred Device

Zener Transient Voltage

Suppressor

SOT−23 Dual Common Anode Zeners

for ESD Protection

http://onsemi.com

These dual monolithic silicon zener diodes are designed for

applications requiring transient overvoltage protection capability. They

are intended for use in voltage and ESD sensitive equipment such as

computers, printers, business machines, communication systems,

medical equipment and other applications. Their dual junction common

anode design protects two separate lines using only one package. These

devices are ideal for situations where board space is at a premium.

PIN 1. CATHODE

2. CATHODE

3. ANODE

Features

• SOT−23 Package Allows Two Separate Unidirectional

Configurations

• Low Leakage < 1 mA @ 5.0 V

• Breakdown Voltage: 7.2−7.9 V @ 5 mA

SOT−23

CASE 318

STYLE 12

• Low Capacitance (80 pF typical @ 0 V, 1 MHz)

• ESD Protection Meeting: 16 kV Human Body Model

ESD Protection Meeting: 30 kV Air and Contact Discharge

• Pb−Free Packages are Available

MARKING DIAGRAM

Mechanical Characteristics:

• Void Free, Transfer−Molded, Thermosetting Plastic Case

• Corrosion Resistant Finish, Easily Solderable

• Package Designed for Optimal Automated Board Assembly

• Small Package Size for High Density Applications

7W5 M G

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

7W5

= Specific Device Code

= Date Code*

Peak Power Dissipation @ 100 ms (Note 1)

= Pb−Free Package

(Note: Microdot may be in either location)

Steady State Power Dissipation

Derate above 25°C (Note 2)

°P °

225

1.8

°mW°

mW/°C

*Date Code orientation and/or overbar may

vary depending upon manufacturing location.

Thermal Resistance, Junction−to−Ambient

Maximum Junction Temperature

556

417

°C/W

°C

Operating Junction and Storage

Temperature Range

T , T

− 55 to +150

stg

ORDERING INFORMATION

†

Device

Package

Shipping

ESD Discharge

MIL STD 883C − Method 3015−6

IEC61000−4−2, Air Discharge

IEC61000−4−2, Contact Discharge

MA3075WALT1

SOT−23

3000/Tape & Reel

MA3075WALT1G SOT−23

(Pb−Free)

Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.

Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not

normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are

exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and

reliability may be affected.

†For information on tape and reel specifications,

including part orientation and tape sizes, please

refer to our Tape and Reel Packaging Specifications

Brochure, BRD8011/D.

1. Non−repetitive 100 ms pulse width

2. Mounted on FR−5 Board = 1.0 X 0.75 X 0.062 in.

Preferred devices are recommended choices for future use

and best overall value.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2005

Publication Order Number:

December, 2005 − Rev. 2

MA3075WALT1/D

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