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SZM2066ZSR

更新时间： 2024-02-14 13:06:57
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威讯 - RFMD 放大器射频微波功率放大器
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18页 1063K
描述
2.4GHz to 2.7GHz 2W POWER AMPLIFIER

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SZM2066ZSR 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：5A991.G
HTS代码：8542.33.00.01风险等级：5.66
Is Samacsys：N安装特点：SURFACE MOUNT
功能数量：1端子数量：40
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装等效代码：LCC40,.24SQ,20
电源：5 V射频/微波设备类型：NARROW BAND MEDIUM POWER
子类别：RF/Microwave Amplifiers最大压摆率：659 mA
表面贴装：YES技术：BIPOLAR
Base Number Matches：1

SZM2066ZSR 数据手册

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SZM-2066Z  
2.4GHz to  
2.7GHz 2W  
Power Ampli-  
fier  
SZM-2066Z  
2.4GHz to 2.7GHz 2W POWER AMPLIFIER  
Package: QFN, 6mmx6mm  
Product Description  
Features  
RFMD’s SZM-2066Z is a high linearity class AB Heterojunction Bipolar Transistor  
(HBT) amplifier housed in a low-cost surface-mountable plastic Q-FlexN multi-chip  
module package. This HBT amplifier is made with InGaP on GaAs device technology  
and fabricated with MOCVD for an ideal combination of low cost and high reliability.  
This product is specifically designed as a final or driver stage for 802.16 and  
802.11b/g equipment in the 2.4GHz to 2.7GHz bands. It can run from a 3V to 5V  
supply. The external output match and bias adjustability allows load line optimiza-  
tion for other applications or over narrower bands. It features an output power  
P1dB= 33.5dBm at 5V  
Three Stages of Gain:37dB  
802.11g 54Mb/s Class AB Per-  
formance  
POUT=26dBm at 2.5% EVM, VCC  
5V, 690mA  
Active Bias with Adjustable Cur-  
rent  
detector, on/off power control and high RF overdrive robust-  
Optimum Technology  
Matching® Applied  
ness. A 20dB step attenuator feature can be utilized by switch-  
GaAs HBT  
GaAs MESFET  
InGaP HBT  
SiGe BiCMOS  
Si BiCMOS  
SiGe HBT  
GaAs pHEMT  
Si CMOS  
ing the second stage Power up/down control.  
On-Chip Output Power Detector  
Low Thermal Resistance  
Vcc =5V  
Power Up/Down Control <1s  
Attenuator Step 20dB at  
VPC2=0V  
RFIN  
RFOUT  
Applications  
802.16 WiMAX Driver or Output  
Stage  
Si BJT  
Stage  
Bias  
1
Stage  
Bias  
2
Stage  
Bias  
3
Vbias =5V  
GaN HEMT  
InP HBT  
802.11b/g WiFi, WiFi  
Pow er  
Detector  
RF MEMS  
LDMOS  
Pow er  
Up/Dow n  
Control  
Specification  
Typ.  
Parameter  
Unit  
Condition  
Min.  
2500  
32.0  
32.2  
Max.  
2700  
Frequency of Operation  
Output Power at 1dB Compression  
Small Signal Gain  
EVM  
MHz  
dBm  
dB  
33.5  
33.7  
2.5  
2.7GHz  
2.7GHz  
2.7GHz, 802.11g 54Mb/s at P =26dBm  
%
OUT  
Third Order Supression  
-45.0  
-40.0  
dBc  
2.7GHz, P =23dBm per tone  
OUT  
Noise Figure  
7.7  
10.5  
15.5  
dB  
dB  
dB  
V
2.7GHz  
2.5GHz to 2.7GHz  
2.5GHz to 2.7GHz  
Worst Case Input Return Loss  
Worst Case Output Return Loss  
Output Voltage Range  
7.5  
12.5  
0.9 to 1.8  
P
=10dBm to 33dBm  
OUT  
Quiescent Current  
454  
583  
4.0  
659  
100  
mA  
mA  
V
V
V
=5V  
CC  
PC  
CC  
Power Up Control Current  
VCC Leakage Current  
Thermal Resistance  
=5V, I  
+I  
+I  
VPC1 VPC2 VPC3  
A  
=5V, V =0V  
PC  
12.0  
°C/W  
junction - lead  
Test Conditions: Z =50, V =5V, I =583mA, T =30°C  
0
CC  
Q
BP  
RF MICRO DEVICES®, RFMD®, Optimum Technology Matching®, Enabling Wireless Connectivity™, PowerStar®, POLARIS™ TOTAL RADIO™ and UltimateBlue™ are trademarks of RFMD, LLC. BLUETOOTH is a trade-  
mark owned by Bluetooth SIG, Inc., U.S.A. and licensed for use by RFMD. All other trade names, trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. ©2006, RF Micro Devices, Inc.  
7628 Thorndike Road, Greensboro, NC 27409-9421 · For sales or technical  
support, contact RFMD at (+1) 336-678-5570 or sales-support@rfmd.com.  
DS110620  
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