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BZV55C18

更新时间： 2024-02-22 08:58:03

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SYNSEMI		二极管齐纳二极管测试
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ZENER DIODES

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BZV55C18 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-LELF-R2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.33
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
JESD-30 代码：	O-LELF-R2	膝阻抗最大值：	170 Ω
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	18 V	最大反向电流：	0.1 µA
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子形式：	WRAP AROUND	端子位置：	END
电压温度Coeff-Max：	19.8 mV/ °C	工作测试电流：	5 mA

BZV55C18 数据手册

ZENER DIODES

BZV55C Series

MiniMELF (SOD-80C)

V_Z: 2.4 to 75V

P_D: 500mW

Cathode Mark

f 0.063 (1.64)

0.055 (1.40)

FEATURES :

• Silicon planar zener diodes

0.019(0.48)

0.011(0.28)

• For use as low voltage stabilizer or voltage reference.

• Standard Zener voltage tolerance is ± 5%

• Pb / RoHS Free

0.142(3.6)

0.134(3.4)

Mounting Pad Layout

MECHANICAL DATA :

0.098 (2.50)

Max.

* Case : MiniMELF Glass Case (SOD-80C)

0.049 (1.25)Min.

* Weight : 0.05 gram (approximately)

0.079 (2.00)Min.

0.197 (5.00)

REF

Dimensions in inches and ( millimeters )

Maximum Ratings and Thermal Characteristics

Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.

Parameter

Symbol

Value

Unit

Zener Current see Table "Characteristics"

Maximum Forward Voltage at IF = 10 mA.

Power Dissipation at Tflange = 50°C

Power Dissipation at Ta = 50°C

P_D

I_F

0.9

500

400 ¹⁾

Continuous Forward Current

250

0.38⁽¹⁾

0.3

30⁽²⁾

Thermal Resistance Junction to Ambient Air

Thermal Resistance Junction to Lead

Peak reverse power dissipation (non-repetitive) tp = 100ms

Junction temperature

R_q

°C/mW

R_θJL

P_ZSM

T_J

-65 to + 200

°C

T_S

Storage temperature range

°C

Notes: (1) Mounted on ceramic substrate 10mm x 10mm x 0.6mm

(2) Tj = 150°C

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Rev. 02 : March 25, 2005

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