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BZV55C18

更新时间： 2024-01-25 18:03:47

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顺烨 - SHUNYE		二极管齐纳二极管测试
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ZENER DIODES

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BZV55C18 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-LELF-R2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.33
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
JESD-30 代码：	O-LELF-R2	膝阻抗最大值：	170 Ω
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	18 V	最大反向电流：	0.1 µA
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子形式：	WRAP AROUND	端子位置：	END
电压温度Coeff-Max：	19.8 mV/ °C	工作测试电流：	5 mA

BZV55C18 数据手册

BZV55C/ZMM55C-SERIES

ZENER DIODES

Zener Voltage:2.4-180V Peak Pulse Power:500mW

FEATURE

Low zener impedance

MINI MELF

Low regulation factor

Glass passivated junction

High temperature soldering guaranteed:

260 C/10S at terminals

0.063(1.6)

0.055(1.4)

MECHANICAL DATA

0.020(0.5)

0.012(0.3)

0.020(0.5)

0.012(0.3)

Case: MINI MELF molded glass body

0.146(3.7)

0.130(3.3)

Terminals: Plated axial leads, solderable per MIL-STD 750,

method 2026

Polarity: Color band denotes cathode end

Mounting Position: Any

Weight: 0.002 ounce,0.05 gram

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.

SYMBOLS

VALUE

UNITS

Zener Current see Table Characteristics

Power Dissipation at Tamb=25 C(Note 1)

Junction Temperature

Ptot

500

200

Storage Temperature Range

STG

-65 to + 200

0.3

K/mW

Thermal resistance junction ambient(Note 1)

Forward voltage at IF=100mA

qJA

1.0

Note 1: Valid provided that leads at a distance of 10mm from case are kept at ambient temperature

www.shunyegroup.com

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