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SW12KBN805

更新时间: 2024-09-18 18:03:43
品牌 Logo 应用领域
IXYS 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 95K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 800A, 1200V V(RRM), Silicon,

SW12KBN805 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-MUPM-D2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.81
应用:GENERAL PURPOSE外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.58 V
JESD-30 代码:O-MUPM-D2最大非重复峰值正向电流:17700 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最大输出电流:800 A封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:1200 V
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
Base Number Matches:1

SW12KBN805 数据手册

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