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SW12HHN470

更新时间: 2024-09-18 18:03:43
品牌 Logo 应用领域
IXYS 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 95K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 350A, 1200V V(RRM), Silicon,

SW12HHN470 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-MUPM-H1
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.81
Is Samacsys:N应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:CATHODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:O-MUPM-H1最大非重复峰值正向电流:9000 A
元件数量:1相数:1
端子数量:1最大输出电流:350 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:1200 V表面贴装:NO
端子形式:HIGH CURRENT CABLE端子位置:UPPER
Base Number Matches:1

SW12HHN470 数据手册

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