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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-CEDB-N2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.82 |
| 应用： | GENERAL PURPOSE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.99 V | JESD-30 代码： | O-CEDB-N2 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 75000 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 190 °C | 最大输出电流： | 7680 A |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | DISK BUTTON | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 1200 V | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | END | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SW12DXC32C | IXYS |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8400A, 1200V V(RRM), Silicon, |
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| SW12HHN400 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 400A, 1200V V(RRM), Silicon, |
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| SW12HHN470 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 350A, 1200V V(RRM), Silicon, |
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| SW12HHR300 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 380A, 1200V V(RRM), Silicon, |
|
| SW12HHR470 | IXYS |
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DIODE 350 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| SW12KBN805 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 800A, 1200V V(RRM), Silicon, |
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| SW12KBN935 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 935A, 1200V V(RRM), Silicon, |
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| SW12N60 | SEMIPOWER |
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N-channel MOSFET |
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| SW12N60D | SEMIPOWER |
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TO-220F |
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| SW12N65 | SEMIPOWER |
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N-channel MOSFET |
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