士兰微电子
SVS5N70D(MJ)(MN)(F)(MU)说明书
5A,700V超结MOS功率管
描述
2
SVS5N70D(MJ)(MN)(F)(MU) N沟道增强型高压功率 MOSFET采
用士兰微电子超结 MOS 技术平台制造,具有很低的传导损耗和开关
损耗。使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。
此外,SVS5N70D(MJ)(MN)(F)(MU)应用广泛。如,适用于硬/软
开关拓扑。
1
1
2
3
3
TO-220F-3L
1.栅极 2.漏极 3.源极
特点
1
3
1
1
2
3
5A,700V,RDS(on)(典型值 =0.8@VGS=10V
)
TO-252-2L
TO-251U-3L
创新高压技术
低栅极电荷
1
2
3
2
3
定期额定雪崩
较强 dv/dt 能力
高电流峰值
TO-251J-3L
TO-251N-3L
产品规格分类
产品名称
SVS5N70DTR
SVS5N70MJ
SVS5N70MN
SVS5N70F
封装形式
TO-252-2L
TO-251J-3L
TO-251N-3L
TO-220F-3L
TO-251U-3L
打印名称
SVS5N70D
SVS5N70
环保等级
无卤
包装方式
编带
无卤
料管
5N70MN
无卤
料管
SVS5N70F
SVS5N70MU
无卤
料管
SVS5N70MU
无卤
料管
极限参数(除非特殊说明,TA=25C)
参数值
参数名称
符号
SVS5N70
SVS5N70
MJ/MU
SVS5N70
MN
SVS5N70
F
单位
D
漏源电压
栅源电压
VDS
VGS
700
±30
5.0
3.2
18
V
V
TC=25°C
漏极电流
ID
A
TC=100°C
漏极脉冲电流
IDM
PD
A
W
58
60
60
24
耗散功率(TC=25C)
- 大于25C每摄氏度减少
单脉冲雪崩能量 (注 1)
0.46
0.48
0.48
0.19
W/C
mJ
C
EAS
TJ
180
工作结温范围
贮存温度范围
-55~+150
-55~+150
Tstg
C
杭州士兰微电子股份有限公司
版本号:1.8
共 9 页 第 1 页
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