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SVS5N70D

更新时间: 2024-04-09 19:02:35
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士兰微 - SILAN /
页数 文件大小 规格书
9页 465K
描述
TO-252-2L

SVS5N70D 数据手册

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士兰微电子  
SVS5N70D(MJ)(MN)(F)(MU)说明书  
5A700V超结MOS功率管  
描述  
2
SVS5N70D(MJ)(MN)(F)(MU) N沟道增强型高压功率 MOSFET采  
用士兰微电子超结 MOS 技术平台制造,具有很低的传导损耗和开关  
损耗。使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。  
此外,SVS5N70D(MJ)(MN)(F)(MU)应用广泛。如,适用于硬/软  
开关拓扑。  
1
1
2
3
3
TO-220F-3L  
1.栅极 2.漏极 3.源极  
特点  
1
3
1
1
2
3
5A700VRDS(on)(典型值 =0.8@VGS=10V  
)
TO-252-2L  
TO-251U-3L  
创新高压技术  
低栅极电荷  
1
2
3
2
3
定期额定雪崩  
较强 dv/dt 能力  
高电流峰值  
TO-251J-3L  
TO-251N-3L  
产品规格分类  
产品名称  
SVS5N70DTR  
SVS5N70MJ  
SVS5N70MN  
SVS5N70F  
封装形式  
TO-252-2L  
TO-251J-3L  
TO-251N-3L  
TO-220F-3L  
TO-251U-3L  
打印名称  
SVS5N70D  
SVS5N70  
环保等级  
无卤  
包装方式  
编带  
无卤  
料管  
5N70MN  
无卤  
料管  
SVS5N70F  
SVS5N70MU  
无卤  
料管  
SVS5N70MU  
无卤  
料管  
极限参数(除非特殊说明,TA=25C)  
参数值  
参数名称  
符号  
SVS5N70  
SVS5N70  
MJ/MU  
SVS5N70  
MN  
SVS5N70  
F
单位  
D
漏源电压  
栅源电压  
VDS  
VGS  
700  
±30  
5.0  
3.2  
18  
V
V
TC=25°C  
漏极电流  
ID  
A
TC=100°C  
漏极脉冲电流  
IDM  
PD  
A
W
58  
60  
60  
24  
耗散功率(TC=25C)  
- 大于25C每摄氏度减少  
单脉冲雪崩能量 (注 1)  
0.46  
0.48  
0.48  
0.19  
W/C  
mJ  
C  
EAS  
TJ  
180  
工作结温范围  
贮存温度范围  
-55+150  
-55+150  
Tstg  
C  
杭州士兰微电子股份有限公司  
版本号:1.8  
9 页 第 1 页  
http: //www.silan.com.cn  

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