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SVS5N65DD2

更新时间： 2024-03-03 10:09:21

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士兰微 - SILAN		/
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描述
TO-252-2L

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SVS5N65DD2 数据手册

士兰微电子

SVS5N65F(D)(FJH)D2 说明书

5A, 650V 超结 MOS功率管

描述

SVS5N65F(D)(FJH)D2 N 沟道增强型高压功率 MOSFET 采用士

兰微电子超结 MOS 技术平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。

使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。

此外，SVS5N65F(D)(FJH)D2 应用广泛。如，适用于硬/软开关拓

扑。

TO-220FJH-3L

1.栅极 2.漏极 3.源极

特点



5A,650V, R_DS(on)(_典型值=0.78@V_GS=10V

)

创新高压技术

TO-252-2L

TO-220F-3L

低栅极电荷

较强的雪崩能力

较强的 dv/dt 能力

较高的峰值电流能力

产品规格分类

产品名称

SVS5N65FD2

封装形式

TO-220F-3L

TO-252-2L

打印名称

环保等级

无卤

包装方式

料管

SVS5N65FD2

SVS5N65DD2

5N65FJHD2

SVS5N65DD2TR

SVS5N65FJHD2

无卤

编带

TO-220FJH-3L

无卤

料管

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.3

共 10 页第 1 页

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