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SVGP104R5NAT

更新时间： 2024-04-09 19:03:18

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士兰微 - SILAN		/
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8页	359K
描述
TO-220-3L

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SVGP104R5NAT 数据手册

士兰微电子

SVGP104R5NAT(S)说明书

120A、100V N沟道增强型场效应管

描述

SVGP104R5NAT(S) N沟道增强型功率 MOS场效应晶体管采用

士兰的 LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有

较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

1.栅极 2.漏极 3.源极

特点



120A，100V，R_DS(on)_{（典型值）}=3.6m@V_GS=10V

低栅极电荷

TO-220-3L

低反向传输电容

开关速度快

TO-263-2L

提升了 dv/dt 能力

100%雪崩测试

无铅管脚镀层

符合 RoHS 环保标准

关键特性参数

参数

V_DS

参数值

100

单位

2.0~4.0

4.5

V_GS(th)

R_DS(on),max

I_D

m

120

114

Q_g.typ

产品规格分类

产品名称

封装形式

TO-220-3L

TO-263-2L

打印名称

环保等级

无卤

包装方式

SVGP104R5NAT

SVGP104R5NAS

SVGP104R5NASTR

P104R5NAT

P104R5NAS

料管

编带

无卤

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.2

共 8 页第 1 页

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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