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SVGP103R1NT

更新时间： 2025-07-20 18:09:27

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士兰微 - SILAN		/
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11页	413K
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TO-220-3L

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SVGP103R1NT 数据手册

士兰微电子

SVGP103R1NT(S)说明书

120A、100V N沟道增强型场效应管

描述

SVGP103R1NT(S) N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管采用士

兰的 LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较

低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

特点

1.栅极 2.漏极 3.源极



120A，100V，R_DS(on)_{（典型值）}=2.6m@V_GS=10V

低栅极电荷

低反向传输电容

开关速度快

TO-220-3L

提升了 dv/dt 能力

100%雪崩测试

无铅管脚镀层

符合 RoHS 环保标准

TO-263-2L

关键特性参数

参数

V_DS

参数值

100

单位

2.0~4.0

3.0

V_GS(th)

R_DS(on),max

I_D

m

120

125

Q_g.typ

产品规格分类

产品名称

SVGP103R1NT

SVGP103R1NS

SVGP103R1NSTR

封装形式

TO-220-3L

TO-263-2L

打印名称

P103R1NT

P103R1NS

环保等级

无卤

包装方式

料管

无卤

料管

无卤

编带

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.1

共 11 页第 1 页

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