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SVGP069R5NSA

更新时间： 2024-11-15 17:01:03

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士兰微 - SILAN		/
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8页	335K
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SOP-8

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SVGP069R5NSA 数据手册

士兰微电子

SVGP069R5NSA 说明书

14A、60V N沟道增强型场效应管

描述

5 6 7 8

SVGP069R5NSA N沟道增强型功率 MOS场效应晶体管采用士兰

的 LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低

的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

4. 栅极

1、2、3. 源极

5、6；7、8. 漏极

该产品可广泛应用于二次同步整流及逆变器系统的电源管理领域。

特点

1 2 3



14A，60V，R_DS(on)_{（典型值）}=8m@V_GS=10V

低栅极电荷量

低反向传输电容

开关速度快

提升了 dv/dt 能力

SOP-8-225-1.27

产品命名规则

X X X R X N X

S V G P

封装外形标识, 例如:

SA:SOP-8-225-1.27

公司代号

士兰低压SGT MOS产品

沟道极性标识：N代表N型，P代表P型

工艺版本，P表示钝化

PASSIVATION

电阻位(max)：R75代表0.7毫欧；7R5代表7.5

毫欧；100代表10毫欧；101代表100毫欧。

额定耐压值,采用2位数字；

例如:04代表 40V,10 代表 100V

产品规格分类

产品名称

封装形式

打印名称

环保等级

无卤

包装方式

料管

SVGP069R5NSA

SOP-8-225-1.27

P069R5

SVGP069R5NSATR

P069R5

无卤

编带

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.2

共 8 页第 1 页

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