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SVGP061R3NL5-2LF

更新时间： 2024-10-15 18:09:55

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士兰微 - SILAN		光电二极管
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SVGP061R3NL5-2LF 数据手册

士兰微电子

SVGP061R3NL5-2LF 说明书

200A、60V N沟道增强型场效应管

描述

SVGP061R3NL5-2LF N沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管采用

士兰的 LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有

较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

5 D

特点



200A，60V，R_DS(on)_{（典型值）}=1.1m@V_GS=10V

低栅极电荷

低反向传输电容

开关速度快

提升了 dv/dt 能力

100%雪崩测试

PDFN-8-5X6X0.95-1.27

无铅管脚镀层

符合 RoHS 环保标准

关键特性参数

参数

V_DS

参数值

单位

1.2~2.0

1.3

V_GS(th)

R_DS(on),max

I_D

m

200

Q_g.typ

产品规格分类

产品名称

封装形式

PDFN-8-5X6X0.95-1.27

打印名称

环保等级

包装方式

编带

SVGP061R3NL5-2LFTR

P61R3-2LF

无卤

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.1

共 10 页第 1 页

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