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SVGP03100NCS

更新时间： 2024-11-15 15:18:39

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士兰微 - SILAN		/
页数	文件大小	规格书
6页	357K
描述
WLCSP-22

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SVGP03100NCS 数据手册

士兰微电子

SVGP03100NCS 说明书

10A、28V N沟道增强型场效应管

Sub

描述

SVGP03100NCS N沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管采用士兰

的 LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低

的导通电阻。

Drain1

Drain2

Gate

WLCSP-22-2.0x2.0x0.55-0.4

Pin A1

该产品可广泛应用于电源管理领域。

特点



10A，28V，R_DS(on)_{（最大值）}=12m@V_GS=10V

低栅极电荷量

Top view

低反向传输电容

开关速度快

Sub

Bottom view

产品规格分类

产品名称

封装形式

打印名称

环保等级

包装方式

SVGP03100NCS

无卤

编带

WLCSP-22-2.0x2.0x0.55-0.4

极限参数(除非特殊说明，T_C=25C)

参数

漏源电压

符号

V_DS

V_GS

参数范围

单位

±15

栅源电压

T_C=25°C

漏极电流

I_D

T_C=100°C

6.4

漏极脉冲电流

I_DM

P_D

T_J

耗散功率（T_C=25C）

工作结温范围

4.1

C

-55～+150

贮存温度范围

T_stg

热阻特性

参数

符号

参数范围

单位

芯片对环境的热阻

R_θJA

32.7*

C/W

注:θJA 是在室温 25C 开放环境中，根据热阻测试标准 JEDEC 51-7 进行测量。

杭州士兰微电子股份有限公司

版本号：1.4

共 6 页第 1 页

http: //www.silan.com.cn

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