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SVG15670ND

更新时间： 2024-11-18 15:19:23

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士兰微 - SILAN		/
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8页	493K
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TO-252-2L

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SVG15670ND 数据手册

士兰微电子

SVG15670ND 说明书

23A、150V N沟道增强型场效应管

描述

SVG15670ND N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管采用士兰

的 LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较

低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

特点

1.栅极 2.漏极 3.源极



23A，150V，R_DS(on)_{（典型值）}=52m@V_GS=10V

低栅极电荷

低反向传输电容

开关速度快

提升了 dv/dt 能力

100%雪崩测试

无铅管脚镀层

TO-252-2L

符合 RoHS 环保标准

关键特性参数

参数

V_DS

参数值

150

单位

2.0~4.0

V_GS(th)

R_DS(on),max.

I_D

m

9.2

Q_g.typ.

产品规格分类

产品名称

封装形式

TO-252-2L

打印名称

环保等级

包装方式

SVG15670NDTR

15670ND

无卤

编带

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.0

共 8 页第 1 页

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